ADL8104 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带高线性度放大器，工作范围为 0.4 GHz 至 7.5 GHz。
ADL8104 在 0.6 GHz 到 6 GHz 时的典型增益为 15 dB，在 0.4 GHz 到 6 GHz 时的典型噪声系数为 3.5 dB，在 0.6 GHz 到 6 GHz 时的典型输出功率为 1 dB 压缩的 (OP1dB) 20 dBm， 在 0.6 GHz 到 6 GHz 时的典型三阶截取输出 (OIP3) 为 32 dBm，漏极电源为 5 V 时的电流仅为 150 mA。该低噪声放大器在 0.6 GHz 到 6 GHz 时具有典型值为 52 dBm 的高输出二阶截距 (OIP2)，使得 ADL8104 适合应用于军事和测试仪器。
ADL8104 还具有内部匹配至 50 Ω 的输入和输出特性。RFIN 和 RFOUT 引脚内部交流耦合，并集成了偏置电感器，使得 ADL8104 非常适合基于表面贴装技术 (SMT)、高密度的应用。
ADL8104 采用符合 RoHS 指令的 3 mm × 3 mm 16 引脚 LFCSP 封装。
应用
- 测试仪器仪表
- 军事通信
- 单一正电源（自偏置）
- 高 OIP2：0.6 GHz 到 7.5 GHz 时为 52 dBm（典型值）
- 高增益：0.6 GHz 到 6 GHz 范围内为 15 dB（典型值）
- 高 OIP3：32 dBm（典型值）
- 低噪声指数：0.4 GHz 到 6 GHz 范围内为 3.5 dB（典型值）
- 兼容 RoHS 的 16 引脚 3 mm × 3 mm LFCSP
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