--- 产品参数 ---
- 高输入P0.1dB +46 dBm Tx
- 低插入损耗 0.4 dB
- 高IIP3 +74 dBm
- 单正控制电压 0/ +3V to 0/ +8V
- 封装 2x2mm DFN SMT
--- 产品详情 ---

HMC646LP2(E)是一款SPDT开关,采用无引脚DFN表贴塑料封装,可用于发射/接收和LNA保护等要求极低失真和高达40 W、占空比低于10%的高功率应用。 这款鲁棒的开关可控制100 - 2100 MHz*的信号,非常适合TD-SCDMA/3G中继器、PMR、汽车远程信息处理和卫星用户终端应用。 该设计可在发射(Tx)端口提供出色的+46 dBm P0.1 dB和+74 dBm IIP3性能。 当DC电源不可用时,故障安全拓扑提供Tx到RFC的低损耗路径。
规格和数据为HMC646LP2针对数据手册中的每个指定频段使用对应的应用电路进行测量所得。
应用
- LNA保护与T/R开关
- TD-SCDMA/3G基础设施
- 卫星用户终端
- 专用手机无线电与公用安全手机
- 汽车远程信息系统
- 高输入P0.1dB: +46 dBm Tx
- 低插入损耗: 0.4 dB
- 高IIP3: +74 dBm
- 单正控制电压:
0/ +3V to 0/ +8V - 故障安全操作:
未上电时Tx为“开启” - 2x2mm DFN SMT封装
ADRF5141NEW
HMC784A
HMC574A
HMC545A
HMC544A
HMC595A
HMC546LP2E
HMC546MS8G
HMC646
HMC536LP2
HMC536MS8G

为你推荐
-
D2201UK 金金属化多用途硅DMOS射频场效应晶体管2025-10-24 12:34
产品型号:D2201UK 工作电压:12.5V 输出功率:2.5万 最低效率:40 收益:10 测试频率:1吉赫 -
M100FF5 高压二极管2025-03-24 10:38
产品型号:M100FF5 M100FF5: 高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FF3 高压二极管2025-03-24 10:36
产品型号:M100FF3 M100FF3:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M160UFG 高压二极管2025-03-24 10:33
产品型号:M160UFG M160UFG:高压二极管 反向电压:16KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M100UFG 高压二极管2025-03-24 10:31
产品型号:M100UFG M100UFG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M50UFG 高压二极管2025-03-24 10:28
产品型号:M50UFG M50UFG: 高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M25UFG 高压二极管2025-03-24 10:26
产品型号:M25UFG M25UFG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M160FG高压二极管2025-03-24 10:24
产品型号:M160FG M160FG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FG 高压二极管2025-03-24 10:22
产品型号:M100FG M100FG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M50FG高压二极管2025-03-24 10:20
产品型号:M50FG M50FG:高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C