--- 产品参数 ---
- 零件号 MASW-011145
- 描述 4W Ka 波段吸收式 SPDT 开关 27 - 31 GH
- 最小频率(MHz) 27000
- 最大频率(MHz) 31000
- 隔离度(dB) 45
- 插入损耗 (dB) 1.300
- IIP3(dBm) 60
- IP1dB(dBm) 37
- 包裹 3 毫米 20 引线
--- 产品详情 ---
MASW-011145
4W Ka 波段吸收式 SPDT 开关 27 - 31 GHz
MASW-011145 是一款高功率单刀双掷 (SPDT) Ka 波段开关,具有 1.4 dB 的插入损耗。功率处理能力为 35 dBm。在大部分指定频带上,直通路径中的输入和输出回波损耗通常大于 18 dB。隔离路径还具有 18 dB 的典型回波损耗。逻辑电平可以是标准的 1.8、2.5 或 3.3 V CMOS。所需的偏置电源为 3.3 V。
MASW-011145 专为 27 至 31 GHz 之间的高功率 Ka 波段卫星通信而设计。3 毫米、20 铅层压板封装无铅且符合 RoHS 标准。
MASW-011145 包括一个负电压发生器。如果 VSS(引脚 12)接地,负电压发生器将用于内部提供 -3.3 V。如果将 -3.3 V 施加到 VSS 引脚,负电压发生器将被禁用。

4W Ka 波段吸收式 SPDT 开关 27 - 31 GHz
MASW-011145 是一款高功率单刀双掷 (SPDT) Ka 波段开关,具有 1.4 dB 的插入损耗。功率处理能力为 35 dBm。在大部分指定频带上,直通路径中的输入和输出回波损耗通常大于 18 dB。隔离路径还具有 18 dB 的典型回波损耗。逻辑电平可以是标准的 1.8、2.5 或 3.3 V CMOS。所需的偏置电源为 3.3 V。
MASW-011145 专为 27 至 31 GHz 之间的高功率 Ka 波段卫星通信而设计。3 毫米、20 铅层压板封装无铅且符合 RoHS 标准。
MASW-011145 包括一个负电压发生器。如果 VSS(引脚 12)接地,负电压发生器将用于内部提供 -3.3 V。如果将 -3.3 V 施加到 VSS 引脚,负电压发生器将被禁用。
特征
- 1.3分贝插入损耗
- 45分贝隔离
- 4W 最大输入功率
- 35dBm P0.1dB
- 37 dBm P1dB
- 18 分贝回波损耗
- 所有射频端口均为内部直流接地
- 兼容 1.8、2.5 和 3.3V CMOS 逻辑
- 3 毫米、20 引脚层压封装
- 符合 RoHS*
- 内部负电压发生器

MASW-011036 MASWCC0006 MASWSS0144
MASWCC0009 MASWSS0204 MASW-011043
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