--- 产品参数 ---
- 最小频率(MHz) 400
- 最大频率(MHz) 4,000
- 增益(分贝) 17.5
- OP1dB (dBm 24.8
- 电压(V) 5
--- 产品详情 ---

Qorvo 的 TQP7M9101 是采用标准 SOT-89 表面贴装封装的高线性度驱动放大器。这种 InGaP / GaAs HBT 在宽频率范围内提供高性能,具有 +40 dBm OIP3 和 +25 dBm P1dB,同时仅消耗 87 mA 静态电流。所有设备均经过 100% 射频和直流测试。
该器件集成了片上特性,使其有别于市场上的其他产品。RF 输出在内部匹配到 50 欧姆。仅需要输入匹配即可在特定频带中实现最佳性能,从而使设计工程师可以轻松地在其系统中实施该组件。该放大器集成了片上直流过压和射频过驱动保护。这可以保护放大器免受系统中可能出现的直流电压浪涌和高输入射频输入功率电平的影响。片上 ESD 保护使放大器具有非常强大的 2 类 HBM ESD 额定值。
该器件旨在用作需要高线性度、中等功率和高效率的无线基础设施中的驱动放大器。该器件是当前和下一代多载波 3G/4G 基站中收发器线卡的理想选择。
主要特征
- 400 至 4000 兆赫兹
- +25 dBm P1dB
- +39.5 dBm 输出 IP3
- 17.5 dB 增益@2140 MHz
- +5 V 单电源,87 mA 电流
- 无需输出匹配
- 内部射频过驱动保护
- 内部直流过压保护
- 片上 ESD 保护
- SOT-89 封装
最小频率(MHz) | 400 |
最大频率(MHz) | 4,000 |
增益(分贝) | 17.5 |
OP1dB (dBm) | 24.8 |
OIP3 (dBm) | 40 |
噪声系数(分贝) | 4 |
电压(V) | 5 |
电流(mA) | 88 |
包装类型 | SOT-89 |
包装(毫米) | 4.5×4.1×1.5 |
RF5322 RF5102 RF5602 RF5125
RF5112 QPA5219 QPA0363A QPA9842
QPA9801 CMD241P4 QPL9065 TGA4548-SM
QPL9503 QPA9501 CMD201P5 CMD249
QPA2628 QPB2318 RF2317 RFFM4527

为你推荐
-
D2201UK 金金属化多用途硅DMOS射频场效应晶体管2025-10-24 12:34
产品型号:D2201UK 工作电压:12.5V 输出功率:2.5万 最低效率:40 收益:10 测试频率:1吉赫 -
M100FF5 高压二极管2025-03-24 10:38
产品型号:M100FF5 M100FF5: 高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FF3 高压二极管2025-03-24 10:36
产品型号:M100FF3 M100FF3:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M160UFG 高压二极管2025-03-24 10:33
产品型号:M160UFG M160UFG:高压二极管 反向电压:16KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M100UFG 高压二极管2025-03-24 10:31
产品型号:M100UFG M100UFG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M50UFG 高压二极管2025-03-24 10:28
产品型号:M50UFG M50UFG: 高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M25UFG 高压二极管2025-03-24 10:26
产品型号:M25UFG M25UFG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M160FG高压二极管2025-03-24 10:24
产品型号:M160FG M160FG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FG 高压二极管2025-03-24 10:22
产品型号:M100FG M100FG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M50FG高压二极管2025-03-24 10:20
产品型号:M50FG M50FG:高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C