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深圳市聚成恒信电子科技有限公司

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TGF3015-SM 是一种分立式 GaN on SiC HEMT

型号: TGF3015-SM

--- 产品参数 ---

  • 频率 30 MHz 至 3 GHz
  • 力量 40分贝
  • 功率(W) 10 瓦
  • 饱和功率 40.4 分贝
  • 脉冲宽度 100 我们

--- 产品详情 ---

TriQuint 的 TGF3015-SM 是一种分立式 GaN on SiC HEMT,工作频率范围为 0.03 至 3 GHz。它在 2.4 GHz 时提供 11 W 的输出功率 (P3dB),线性增益高达 17.1 dB,PAE 为 62.7 %。它需要 32 V 的电源并消耗 50 mA 的电流。该晶体管采用无铅封装,尺寸为 3 x 3 mm,符合 RoHS 标准。它可用于军用雷达、民用雷达、测试仪器以及专业和军用无线电通信应用。

产品规格

产品详情

零件号                  TGF3015-SM

制造商                  科尔沃

描述                     11 瓦 GaN 功率晶体管,频率范围为 0.03 GHz 至 3 GHz

一般参数

晶体管类型         HEMT

技术                   碳化硅上氮化镓、氮化镓

应用行业            无线基础设施、雷达、航空航天与国防、测试与测量

应用                  军事、通信、干扰器、测试仪器、C 波段、ISM 波段

连续波/脉冲      脉冲,连续波

频率                 30 MHz 至 3 GHz

力量                 40分贝

功率(W)           10 瓦

饱和功率          40.4 分贝

脉冲宽度         100 我们

占空比            0.2

获得               17分贝

电源电压        32 伏

电压 - 栅源 (Vgs)  -2.7 伏

静态漏极电流   50毫安

阻抗 Z             50 欧姆

包装类型         表面贴装

包裹               3 x 3 毫米

RoHS             是的

 

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