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深圳市聚成恒信电子科技有限公司

致力于全面服务射频微波,毫米微波客户,将射频微波,毫米微波原材料聚成恒信电子秉承长期合作拉近原厂与终端用户的距离为促进三方共赢的良性合作关系

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TGF3020-SM 是一种 GaN on SiC HEMT 晶体管

型号: TGF3020-SM

--- 产品参数 ---

  • 频率 4 至 6 GHz
  • 力量 36.99 分贝
  • 功率(W) 5 瓦
  • 饱和功率 38.3 分贝
  • 脉冲宽度 100 我们

--- 产品详情 ---

Triquint 的 TGF3020-SM 是一种 GaN on SiC HEMT 晶体管,工作频率范围为 4 GHz 至 6 GHz。它提供高达 5 W 的功率,增益为 12.7 dB,效率为 59.6 %。HEMT 功率晶体管需要 32 V 电源才能运行,并消耗 25 mA 的电流。它采用行业标准的 3 x 3 mm 表面贴装 QFN 封装。它可用于C波段雷达、通信系统、遥测、通信系统、宽带功率放大器和测试仪器应用。

产品规格

产品详情

零件号                   TGF3020-SM

制造商                   科尔沃

描述                      4 GHz 至 6 GHz 的 5 瓦 GaN HEMT

一般参数

晶体管类型           HEMT

技术                     碳化硅上氮化镓、氮化镓

应用行业              雷达、ISM、测试与测量

应用                    通讯、测试仪器

连续波/脉冲        脉冲,连续波

频率                   4 至 6 GHz

力量                   36.99 分贝

功率(W)             5 瓦

饱和功率            38.3 分贝

脉冲宽度           100 我们

占空比               0.2

获得                  12.7分贝

电源电压           32 伏

电压 - 栅源 (Vgs)  -2.7 伏

静态漏极电流    25毫安

阻抗 Z              50 欧姆

包装类型          表面贴装

包裹                3 x 3 毫米

RoHS              是的

 

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