TGF2933 是一种分立式 GaN on SiC HEMT

Qorvo 的 TGF2933 是一种分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为直流至 25 GHz。它提供 7.2 W 的输出功率，增益为 15 dB，功率附加效率为 57%。该晶体管需要 28 伏的电源电压并消耗 80 毫安的电流。它以尺寸为 0.83 x 0.55 x 0.10 毫米的裸片形式提供，是航空航天、国防和宽带无线应用的理想选择。

产品规格

产品详情

零件号                   TGF2933

制造商                   科尔沃

描述                      从 DC 到 25 GHz 的 7.2 W GaN 射频晶体管

一般参数

晶体管类型          HEMT

技术                    碳化硅上氮化镓、氮化镓

应用行业             航空航天与国防

连续波/脉冲        脉冲，连续波

频率                   直流至 25 GHz

力量                  38.45 分贝

功率(W)            7 瓦

饱和功率           38.6 分贝

获得                  15分贝

电源电压           12 至 29.5 V

电压 - 栅源 (Vgs)  -2.8 伏

漏极偏置电流   40 至 160 毫安

静态漏极电流   80毫安

阻抗 Z             50 欧姆

包装类型         死

包裹               0.83 x 0.55 x 0.10 毫米

方面               0.833 x 0.551 x 0.100 毫米

RoHS            是的

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