QPD1000 是一种分立式 GaN on SiC HEMT

Qorvo 的 QPD1000 是一种分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 30 MHz 至 1.215 GHz。它提供 15 W 的输出功率，增益为 19 dB，功率附加效率为 78.2%。该晶体管需要 28 V 的电源电压并消耗高达 50 mA 的电流。它采用 5 x 6 mm 无铅 SMT 封装，非常适合手持无线电、雷达、干扰器和其他应用。

产品规格

产品详情

零件号                 QPD1000

制造商                 科尔沃

描述                    0.03 至 1.215 GHz 的 15 W GaN 射频晶体管

一般参数

晶体管类型          HEMT

技术                    碳化硅上氮化镓、氮化镓

应用行业             无线基础设施、雷达、测试与测量

应用                   军事、移动无线电、通信、测试仪器、干扰器

连续波/脉冲       脉冲

频率                  30 MHz 至 1.215 GHz

力量                  41.76 分贝

功率(W)            15 瓦

饱和功率           43.8 分贝

脉冲宽度           557 我们

占空比              0.1

获得                 19分贝

电源电压          12 至 32 伏

电压 - 栅源 (Vgs)  -2.8 伏

漏极偏置电流    50毫安

静态漏极电流    50毫安

阻抗 Z              50 欧姆

包装类型          表面贴装

包裹                5 x 6 毫米

RoHS             是的

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