Qorvo 的 TGF2929-HM 是一款 100 W (P3dB) 分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为直流至 3.5 GHz。它提供 17.4 dB 的线性增益并需要 28 V DC 电源。该器件是基于 Qorvo 验证的 QGaN25HV 工艺开发的，该工艺采用先进的场板技术，可在高漏极偏置工作条件下优化功率和效率。这种优化通过更少的放大器阵容和更低的热管理成本来降低系统成本。这种 GaN on SiC HEMT 采用密封法兰封装。它可用于广泛的应用，包括空间雷达、卫星通信、军用雷达和民用雷达、干扰器、测试仪器和无线电通信。
产品规格
产品详情
零件号 TGF2929-HM
制造商 科尔沃
描述 100 瓦 GaN on SiC HEMT，从直流到 3.5 GHz
一般参数
晶体管类型 HEMT
技术 碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业 无线基础设施、雷达、航空航天与国防、测试与测量
应用 军事、通信、干扰器、测试仪器
连续波/脉冲 脉冲，连续波
频率 直流至 3.5 GHz
力量 50分贝
功率(W) 100 瓦
饱和功率 51.2 分贝
脉冲宽度 100 我们
占空比 0.2
获得 17.4分贝
电源电压 12 至 60 伏
电压 - 栅源 (Vgs) -2.8 伏
静态漏极电流 260毫安
包装类型 法兰
RoHS 是的
年级 空间合格
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