Qorvo 的 QPD1025 是一种分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 1.0 至 1.1 GHz。它提供 22.5 dB 的增益和 77.2% 的功率附加效率。该晶体管的漏极效率明显优于 LDMOS。它在 65 V 电源下运行时提供 1800 W (P3dB) 的输出功率。它采用标准气腔封装，非常适用于 IFF、航空电子设备和测试仪器。该器件可以支持 CW 和脉冲操作。
产品规格
产品详情
零件号 QPD1025
制造商 科尔沃
描述 1800 瓦 GaN on SiC 分立晶体管，频率范围为 1 至 1.1 GHz
一般参数
晶体管类型 HEMT
技术 碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业 航空航天与国防、测试与测量
应用 航空电子设备、测试和仪器仪表
连续波/脉冲 连续波，脉冲
频率 1 至 1.1 GHz
力量 62.7 分贝
功率(W) 1862 瓦
获得 22.5分贝
功率附加效率 77.2 %
电源电压 65 伏
击穿电压 - 漏源 225 伏
电压 - 漏源 (Vdss) 65 至 70 伏
电压 - 栅源 (Vgs) -2.8 伏
漏电流 28个
漏极偏置电流 1.5A
功耗 (Pdiss) 496 至 685 瓦
RoHS 是的
相关型号
854672 856070 856234 856504
857071 856654 855399 854671
856691 856698 855377 856062
856330 880367 856074 854657
855810 855653 854664 855884
856532 855782 857038 855859
