Qorvo 的 QPD1006 是一款 GaN-on-SiC HEMT 晶体管，工作频率范围为 1.2 至 1.4 GHz。它提供 313 瓦的 CW 输出功率，增益为 17.5 dB，脉冲功率为 468 瓦，增益为 17.8 dB，漏极效率超过 55%。
该器件内部匹配 50 欧姆，采用行业标准的气腔封装。这种符合 RoHS 标准的 GaN IMFET 晶体管非常适合军用和民用雷达应用，并且可以支持脉冲和 CW 操作。
产品规格
产品详情
零件号 QPD1006
制造商 科尔沃
描述 GaN-on-SiC HEMT 晶体管从 1.2 到 1.4 GHz
一般参数
晶体管类型 HEMT
技术 碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业 航空航天与国防，雷达
连续波/脉冲 脉冲，连续波
频率 1.2 至 1.4 GHz
力量 54.96 dBm（CW，3dB 压缩），56.7 dBm（脉冲
功率(W) 313 W（CW，3dB 压缩），468 W（脉冲
脉冲宽度 100 我们
占空比 10%
获得 17.5 分贝（连续），17.8 分贝（脉冲）
电源电压 45 V（CW），50 V（脉冲）
当前的 750毫安
包装类型 陶瓷制品
RoHS 是的
工作温度 -40 至 85 摄氏度
贮存温度 -65 至 150 摄氏度
相关型号
CMD161 CMD119P3 CMD160 CMD163
CMD167 CMD171P4 CMD132 CMD159
CMD169P4 CMD157P3 CMD162 CMD157
QPQ4900 QPQ1028 QPQ3500 QPQ3501
880272 QPQ1298 QPQ1906 QPQ1905
