--- 产品参数 ---
- 频率 1.2 至 1.4 GHz
- 力量 61.76 dBm(3dB 压缩)
- 功率(W) 1500(3dB 压缩)
- 脉冲宽度 100 我们
- 占空比 10%
--- 产品详情 ---

Qorvo 的 QPD1029L 是一款 GaN 射频输入匹配晶体管,工作频率范围为 1.2 至 1.4 GHz。它在 1.3 GHz 时提供 1500 瓦的 P3dB 和 21.3 dB 的线性增益和 75% 的 PAE。该器件需要 65 V 的电源电压,并在封装内具有输入预匹配功能,从而便于外部电路板匹配并节省电路板空间。这种符合 RoHS 标准的晶体管采用行业标准的气腔封装,非常适合 IFF、航空电子设备、测试仪器和 L 波段雷达放大器应用。该器件可以支持 CW 和脉冲操作。
产品规格
产品详情
零件号 QPD1029L
制造商 科尔沃
描述 1.2 至 1.4 GHz 的 1500 W GaN 射频晶体管
一般参数
晶体管类型 HEMT
技术 碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业 航空航天与国防,雷达
连续波/脉冲 脉冲,连续波
频率 1.2 至 1.4 GHz
力量 61.76 dBm(3dB 压缩)
功率(W) 1500(3dB 压缩)
脉冲宽度 100 我们
占空比 10%
获得 23.3分贝
电源电压 65 伏
当前的 750毫安
包装类型 陶瓷制品
RoHS 是的
工作温度 -40 至 85 摄氏度
贮存温度 -65 至 150 摄氏度
相关型号
RF3223 RF7245 SBB5089Z RF3315
RVA1007L NBB-310-D RF2373 SBB3089Z
RF5373 RFDA2046 NBB-300-D SBB1089Z
CXE-2089Z RF2878 CGR-0118Z SXA389BZ
SXB4089Z SBB4089Z RFDA0066 SBA5089Z
为你推荐
-
D2201UK 金金属化多用途硅DMOS射频场效应晶体管2025-10-24 12:34
产品型号:D2201UK 工作电压:12.5V 输出功率:2.5万 最低效率:40 收益:10 测试频率:1吉赫 -
M100FF5 高压二极管2025-03-24 10:38
产品型号:M100FF5 M100FF5: 高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FF3 高压二极管2025-03-24 10:36
产品型号:M100FF3 M100FF3:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M160UFG 高压二极管2025-03-24 10:33
产品型号:M160UFG M160UFG:高压二极管 反向电压:16KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M100UFG 高压二极管2025-03-24 10:31
产品型号:M100UFG M100UFG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M50UFG 高压二极管2025-03-24 10:28
产品型号:M50UFG M50UFG: 高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M25UFG 高压二极管2025-03-24 10:26
产品型号:M25UFG M25UFG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M160FG高压二极管2025-03-24 10:24
产品型号:M160FG M160FG:高压二极管 反向电压:10KV STG. TEMP: -65°C至+200°C -
M100FG 高压二极管2025-03-24 10:22
产品型号:M100FG M100FG:高压二极管 反向电压: 2.5KV STG. TEMP:-65°C至+200°C -
M50FG高压二极管2025-03-24 10:20
产品型号:M50FG M50FG:高压二极管 反向电压:5KV STG. TEMP: -65°C至+200°C