QPD0005M 是一款 GaN on SiC 晶体管

Qorvo 的 QPD0005M 是一款 GaN on SiC 晶体管，工作频率范围为 2.5 至 5 GHz。它提供 37.7 dBm (~6 W) 的饱和输出功率，增益为 18.6 dB，漏极效率为 74.1%。该晶体管需要 48 V 的直流电源并消耗 20 mA 的电流。它采用符合 RoHS 标准的塑料包覆成型 DFN 封装，尺寸为 4.5 x 4.0 mm，适用于 WCDMA/LTE、宏蜂窝基站、微蜂窝基站、小型蜂窝、有源天线、5G 大规模 MIMO 和通用应用。

产品规格

产品详情

零件号                QPD0005M

制造商                科尔沃

描述                    2.5 至 5 GHz 的 6 W GaN 晶体管

一般参数

晶体管类型          HEMT

技术                   氮化镓、碳化硅上氮化镓

应用行业             基站

应用                   5G Massive MIMO、有源天线、通用、宏蜂窝基站驱动器、微蜂窝基站、小蜂窝、WCDMA

频率                   2500 至 5000 兆赫

力量                   37.78 分贝

功率(W)              6 瓦

饱和功率             37.7 瓦

获得                   18.6分贝

电源电压            48 伏

排水效率            74.1 %

静态漏极电流    20毫安

包裹                  东风

方面                  4.5 x 4.0 毫米

RoHS               是的

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