Qorvo 的 QPD2018D 是一款分立式 180 微米 GaAs pHEMT 晶体管，工作频率为直流至 20 GHz。它提供 14 dB 的增益和 55% 的功率附加效率，噪声系数为 1 dB。该晶体管采用 Qorvo 的标准 0.25 um 功率 pHEMT 生产工艺设计，采用先进技术，可在高漏极偏置工作条件下优化微波功率和效率。它以尺寸为 0.41 x 0.34 x 0.10 毫米的芯片形式提供，带有氮化硅保护涂层，可提供环境稳定性和划痕保护。该晶体管非常适合用于通信、雷达、点对点无线电和卫星通信应用。
产品规格
产品详情
零件号 QPD2018D
制造商 科尔沃
描述 从 DC 到 20 GHz 的分立 GaAs pHEMT 晶体管芯片
一般参数
晶体管类型 pHEMT
应用行业 广播、雷达、卫星通信
频率 直流至 20 GHz
力量 22 dBm (Psat)
功率(W) 0.15 瓦（Psat）
P1dB 22分贝
获得 14分贝
噪声系数 1分贝
电源电压 8 伏
当前的 29 毫安
无铅 是的
包装类型 表面贴装
包裹 死
方面 0.41 x 0.34 x 0.10 毫米
RoHS 是的
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