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深圳市聚成恒信电子科技有限公司

致力于全面服务射频微波,毫米微波客户,将射频微波,毫米微波原材料聚成恒信电子秉承长期合作拉近原厂与终端用户的距离为促进三方共赢的良性合作关系

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SGFCF10S-D 是一款射频晶体管

型号: SGFCF10S-D

--- 产品参数 ---

  • 频率 直流至 3.7 GHz
  • 力量 38分贝
  • 功率(W) 6.31 瓦
  • 饱和功率 40 至 41 dBm
  • 功率增益 (Gp) 18.5 至 19.5 分贝

--- 产品详情 ---

SGFCF10S-D 图片

Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGFCF10S-D 是一款射频晶体管,频率 DC 至 3.7 GHz,功率 38 dBm,功率 (W) 6.31 W,饱和功率 40 至 41 dBm,功率增益 (Gp) 18.5 至 19.5 dB。标签:表面贴装。有关 SGFCF10S-D 的更多详细信息,请参见下文。

产品规格

产品详情

零件号

SGFCF10S-D

制造商

住友电工设备创新

描述

DC 至 3.7 GHz,增益 GaN on SiC HEMT

一般参数

晶体管类型

HEMT

技术

碳化硅上氮化镓、氮化镓

应用行业

无线基础设施

应用

WCDMA、LTE、基站

频率

直流至 3.7 GHz

力量

38分贝

功率(W)

6.31 瓦

饱和功率

40 至 41 dBm

功率增益 (Gp)

18.5 至 19.5 分贝

电源电压

50 伏

电压 - 漏源 (Vdss)

50 伏

电压 - 栅源 (Vgs)

-15 伏

排水效率

11.5 至 13.5%

功耗 (Pdiss)

13.5 瓦

热阻

10 至 11.5 摄氏度/W

包装类型

表面贴装

RoHS

是的

贮存温度

-40 至 125 摄氏度

笔记

正向栅极电流:23 mA,反向栅极电流:-0.3 mA

 

FLM1314-3F

FLM1011-15F

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FLM6472-8F

FLM5964-18F/001

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