--- 产品参数 ---
- 频率 直流至 3 GHz
- 力量 51.1 至 51.9 dBm
- 功率(W) 129 至 155 dBm 瓦
- 获得 13.1 至 13.9 分贝
- 电源电压 50 伏
--- 产品详情 ---

住友电工的 SGNH130M1H 是一种高功率 GaN HEMT,工作频率范围为直流至 3 GHz。它提供 130 W (@ 2.45 GHz) 的功率,增益超过 13.1 dB,效率为 59% (@ 2.45 GHz)。HEMT 采用小型无法兰封装,尺寸为 11.8 x 6.35 mm,需要 50 V 的直流电源电压。
产品规格
产品详情
零件号
SGNH130M1H
制造商
住友电工设备创新
描述
130 W GaN HEMT,从直流到 3 GHz
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
连续波/脉冲
脉冲,连续波
频率
直流至 3 GHz
力量
51.1 至 51.9 dBm
功率(W)
129 至 155 dBm 瓦
获得
13.1 至 13.9 分贝
电源电压
50 伏
排水效率
50 至 59 %
漏电流
125毫安
功耗 (Pdiss)
170 瓦
热阻
1.1 至 1.32 摄氏度/W
包装类型
表面贴装
RoHS
是的
贮存温度
-55 至 125 摄氏度
笔记
夹断电压:-4.0 至 -1.5 V
EMM5836V1B
SMM5854V1D
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EMM5078ZV
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SGM6906VU
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SGN19C320I2D
EGN26C160I2D
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EGN35C070I2D
SGN21C320I2D
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