--- 产品参数 ---
- 频率 7.7 至 8.5 GHz
- 力量 41.5 至 42.5 dBm
- 功率(W) 14.13 至 17.78 瓦
- P1dB 41.5 至 42.5 dBm
- 功率增益 (Gp) 6 至 7 分贝
--- 产品详情 ---
Sumitomo Electric Device Innovations 的 FLM7785-18F 是一款射频晶体管,频率 7.7 至 8.5 GHz,功率 41.5 至 42.5 dBm,功率(W)14.13 至 17.78 W,P1dB 41.5 至 42.5 dBm,功率增益(Gp)6 至 7 dB . 标签:法兰。FLM7785-18F 的更多详细信息见下文。
产品规格
产品详情
零件号
FLM7785-18F
制造商
住友电工设备创新
描述
7.7 至 8.5 GHz,增益 GaAs FET
一般参数
晶体管类型
场效应管
技术
砷化镓
申请类型
C波段
频率
7.7 至 8.5 GHz
力量
41.5 至 42.5 dBm
功率(W)
14.13 至 17.78 瓦
P1dB
41.5 至 42.5 dBm
功率增益 (Gp)
6 至 7 分贝
功率附加效率
0.29
电压 - 栅源 (Vgs)
-5 伏
漏电流
4700 至 5800 毫安
IMD
-45 至 -42 dBc
阻抗 Z
50 欧姆
热阻
1.6 至 1.8 摄氏度/W
包装类型
法兰
包裹
IA
贮存温度
-65 至 175 摄氏度
笔记
饱和漏极电流:8100 至 12750 mA,夹断电压:-3.5 至 -1 V,增益平坦度:±0.6 dB,通道温升:80 摄氏度,通道温度:175 摄氏度
SGN2729-600H-R
SGN3035-150H-R
SGN21-120H-R
SGN26C320I2D
SGN31E030MK
SGN21C050MK
SGN2729-250H-R
SGK5254-30A-R
EGN26C210I2D
SGK5254-120A-R
EGN26C105I2D
EGN16C105MK
EGN21C070MK
EGN35C030MK
EGN21C030MK
EGN21C020MK
EGN26C030MK
EGN26C020MK
EGN21C320IV
EGN21C210I2D
SGN19C210I2D
EGN21C105I2D
EGNC105MK
EGN21C160I2D
EGNC210MK
SGN21C105MK
SGN19C160I2D
SGFCF20S-D
SG36F30S-D
SGFCF20T-D
SGFCF40T-D
SG26F30S-D
SGFCF15S-D
SGFCF10S-D
SGK1314-50A
SGK1314-60A
SGK7785-100A
SGK1314-30A
SGK1314-25A
SGK1011-25A
SGK5867-100A/001
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