Sumitomo Electric Device Innovations 的 EGN26C070MK 是一款射频晶体管，频率 2.6 GHz，功率 45.8 dBm，功率（W）38.02 W，饱和功率 48 至 48.8 dBm，功率增益（Gp）15.5 至 16.5 dB。标签：法兰。EGN26C070MK 的更多细节可以在下面看到。
产品规格
产品详情
零件号
EGN26C070MK
制造商
住友电工设备创新
描述
2.6 GHz，增益 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
无线基础设施
申请类型
L波段
应用
基站，LTE
频率
2.6GHz
力量
45.8 分贝
功率(W)
38.02 瓦
饱和功率
48 至 48.8 dBm
功率增益 (Gp)
15.5 至 16.5 分贝
电源电压
50 伏
电压 - 漏源 (Vdss)
50 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-15 伏
排水效率
25% 到 30%
功耗 (Pdiss)
75 瓦
热阻
2.5 到 3 摄氏度/W
包装类型
法兰式
RoHS
是的
贮存温度
-65 至 175 摄氏度
笔记
正向栅极电流：76 mA，反向栅极电流：-2.6 mA
SMM5730XZ
SMM5731XZ
SMM5729XZ
SMM5728XZ
FMM5715X
FMM5704X
FMM5820X
SMM5727XZ
FMM5804X
SMM5846X
EMM5840X
FMM5716X
SMM5724XZ
FMM5714X
FMM5701X
FMM5703X
SMM5722XZ
SMM5723XZ
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SMM5849XZ
EMM5832VU
EMM5074X
EMM5838V1B
EMM5068X
SMM5848XZ
EMM5075X
EMM5717X
EMM5078X
FMM5822X
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SMM5846V1D
EMM5079X
EMM5834X
FMM5059VU
FMM5822VU
SMM5085V1B
EMM5068VU
EMM5081V1B
SMM5845V1B
EMM5075VU
FMM5059VF
FMM5061VF
EMM5079ZB
