--- 产品参数 ---
- 频率 2.65GHz
- 力量 50.5 分贝
- 功率(W) 112.2 瓦
- 饱和功率 52 至 53 dBm
- 功率增益 (Gp) 15.3 至 16.3 分贝
--- 产品详情 ---

Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGN27C210I2D 是一款射频晶体管,频率 2.65 GHz,功率 50.5 dBm,功率 (W) 112.2 W,饱和功率 52 至 53 dBm,功率增益 (Gp) 15.3 至 16.3 dB。标签:法兰。SGN27C210I2D 的更多详细信息见下文。
产品规格
产品详情
零件号
SGN27C210I2D
制造商
住友电工设备创新
描述
2.65 GHz,增益 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
无线基础设施
申请类型
L波段
应用
基站,LTE
频率
2.65GHz
力量
50.5 分贝
功率(W)
112.2 瓦
饱和功率
52 至 53 dBm
功率增益 (Gp)
15.3 至 16.3 分贝
电源电压
50 伏
电压 - 漏源 (Vdss)
50 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-15 伏
排水效率
25% 到 30%
功耗 (Pdiss)
173 瓦
热阻
1.1 至 1.3 度 C/W
包装类型
法兰式
RoHS
是的
贮存温度
-65 至 175 摄氏度
笔记
正向栅极电流:204 mA,反向栅极电流:-7.8 mA
EMM5836V1B
SMM5854V1D
FMM5057VF
EMM5078ZV
EMM5077VU
FMM5056VF
EMM5074VU
SGM6906VU
SGC1011-300B-R
SGC8595-300B-R
SGM6901VU
SGC0910-300B-R
SGNH130M1H
SGK7185-20A
FSX017LG
FSX027WF
SGC8598-100A-R
SGC1112-100A-R
SGC1112-100A-R
SGK0910-30A-R
SGK0910-60A-R
FSX017WF
SGC0910-200A-R
SGNE070MK
SGNE030MK
SGNE045MK
SGNE090MK
FSU02LG
FSU01LG
SGK0910-120A-R
SGC8598-50A-R
SGNE010MK
EGN26C070MK
SGN26C050MK
SGN27C160I2D
SGN19C320I2D
EGN26C160I2D
SGNC320MK
EGN35C070I2D
SGN21C320I2D
EGN26C070I2D
SGN1214-220H-R
SGN27C210I2D
SGN2731-500H-R
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