Sumitomo Electric Device Innovations 的 EGN21C160I2D 是一款射频晶体管，频率 2.14 GHz，功率 49.5 dBm，功率 (W) 89.13 W，饱和功率 51.7 至 52.5 dBm，功率增益 (Gp) 17 至 18 dB。标签：法兰。有关 EGN21C160I2D 的更多详细信息，请参见下文。
产品规格
产品详情
零件号
EGN21C160I2D
制造商
住友电工设备创新
描述
2.14 GHz，增益 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
无线基础设施
申请类型
L波段
应用
基站，LTE
频率
2.14GHz
力量
49.5 分贝
功率(W)
89.13 瓦
饱和功率
51.7 至 52.5 dBm
功率增益 (Gp)
17 至 18 分贝
电源电压
50 伏
电压 - 漏源 (Vdss)
50 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-15 伏
排水效率
28% 到 32%
功耗 (Pdiss)
132 瓦
IMD
-32 至 -28 dBc
热阻
1.4 到 1.6 度 C/W
包装类型
法兰式
RoHS
是的
贮存温度
-65 至 175 摄氏度
笔记
正向栅极电流：153 mA，反向栅极电流：-5.8 mA
SGN2729-600H-R
SGN3035-150H-R
SGN21-120H-R
SGN26C320I2D
SGN31E030MK
SGN21C050MK
SGN2729-250H-R
SGK5254-30A-R
EGN26C210I2D
SGK5254-120A-R
EGN26C105I2D
EGN16C105MK
EGN21C070MK
EGN35C030MK
EGN21C030MK
EGN21C020MK
EGN26C030MK
EGN26C020MK
EGN21C320IV
EGN21C210I2D
SGN19C210I2D
EGN21C105I2D
EGNC105MK
EGN21C160I2D
EGNC210MK
SGN21C105MK
SGN19C160I2D
SGFCF20S-D
SG36F30S-D
SGFCF20T-D
SGFCF40T-D
SG26F30S-D
SGFCF15S-D
SGFCF10S-D
SGK1314-50A
SGK1314-60A
SGK7785-100A
SGK1314-30A
SGK1314-25A
SGK1011-25A
SGK5867-100A/001
SGK6472-60A
SGK5867-30A
SGK7785-60A
