Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGFCF30T-D 是一款射频晶体管，频率 DC 至 3.7 GHz，功率 39.5 dBm，功率 (W) 8.91 W，饱和功率 41.5 至 42.5 dBm，功率增益 (Gp) 18.5 至 19.5 dB。标签：表面贴装。有关 SGFCF30T-D 的更多详细信息，请参见下文。
| 零件号 | SGFCF30T-D |
|---|---|
| 功能 | 高压 - 塑料 GaN-HEMT 双器件 |
| 特征 |
|
| 描述 | 住友电工的 GaN-HEMT 为工作电压为 50V 的高功率 L 波段放大器提供高效率、易于匹配、更高的一致性和宽带宽，并为您提供更高的增益。该器件的目标应用是基站收发器的微蜂窝的驱动阶段和最后阶段。 |
| 单/双 | 双胞胎 |
|---|---|
| 操作频率 (GHz) | DC-3.7 |
| 测量频率 (GHz) | 2.65 |
| 典型值。(dBm) *1 | 42.5 |
| 噘嘴 (平均) (dBm) *2 | 29 |
| Gp @Pout(Ave.) 典型值。(分贝) *2 | 19.5 |
| ηd @Pout(Ave.) 典型值。(%) *2 | 13.5 |
| VDS (V) | 50 |
| IDS (直流) (毫安) | 75 |
| Rth典型值。(°C/W) *3 | 9 |
| 笔记 | *1: 10%-duty RF 脉冲(直流电源常数) *2: Pout=(Ave.) , W-CDMA(3GPP3.4 12-00)BS-1 64ch 85% 削波调制(PAR=8.5dB@0.01 %) *3：抽样测试：样本大小 10 件。Criteria(accept / reject)=(0 / 1) 一条路径的规格 注：Tc (op)=+25°C |
产品规格
产品详情
零件号
SGFCF30T-D
制造商
住友电工设备创新
描述
DC 至 3.7 GHz，增益 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
无线基础设施
应用
WCDMA、LTE、基站
频率
直流至 3.7 GHz
力量
39.5 分贝
功率(W)
8.91 瓦
饱和功率
41.5 至 42.5 dBm
功率增益 (Gp)
18.5 至 19.5 分贝
电源电压
50 伏
电压 - 漏源 (Vdss)
50 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-15 伏
排水效率
11.5 至 13.5%
功耗 (Pdiss)
14.8 瓦
热阻
9 到 10.5 度 C/W
包装类型
表面贴装
RoHS
是的
贮存温度
-40 至 125 摄氏度
笔记
正向栅极电流：33 mA，反向栅极电流：-0.5 mA
SMM5730XZ
SMM5731XZ
SMM5729XZ
SMM5728XZ
FMM5715X
FMM5704X
FMM5820X
SMM5727XZ
FMM5804X
SMM5846X
EMM5840X
FMM5716X
SMM5724XZ
FMM5714X
FMM5701X
FMM5703X
SMM5722XZ
SMM5723XZ
SMM5850XZ
FMM5709X
SMM5849XZ
EMM5832VU
EMM5074X
EMM5838V1B
EMM5068X
SMM5848XZ
EMM5075X
EMM5717X
EMM5078X
FMM5822X
SMM5855V1D
SMM5846V1D
EMM5079X
EMM5834X
FMM5059VU
FMM5822VU
SMM5085V1B
EMM5068VU
EMM5081V1B
SMM5845V1B
EMM5075VU
FMM5059VF
FMM5061VF
EMM5079ZB
