Sumitomo Electric Device Innovations 的 SG26F30S-D 是一款射频晶体管，频率 DC 至 2.7 GHz，功率 43 dBm，功率 (W) 19.95 W，饱和功率 45 至 46 dBm，功率增益 (Gp) 17.5 至 18.5 dB。标签：表面贴装。有关 SG26F30S-D 的更多详细信息，请参见下文。
| 零件号 | SG26F30S-D |
|---|---|
| 功能 | 高压 - 塑料 GaN-HEMT |
| 特征 |
|
| 描述 | 住友电工的 GaN-HEMT 为工作电压为 50V 的高功率 L 波段放大器提供高效率、易于匹配、更高的一致性和宽带宽，并为您提供更高的增益。该器件的目标应用是基站收发器的微蜂窝的驱动阶段和最后阶段。 |
| 单/双 | 单身的 |
|---|---|
| 操作频率 (GHz) | DC-2.7 |
| 测量频率 (GHz) | 2.65 |
| 典型值。(dBm) *1 | 46 |
| 噘嘴 (平均) (dBm) *2 | 32.5 |
| Gp @Pout(Ave.) 典型值。(分贝) *2 | 18.5 |
| ηd @Pout(Ave.) 典型值。(%) *2 | 13.5 |
| VDS (V) | 50 |
| IDS (直流) (毫安) | 150 |
| Rth典型值。(°C/W) *3 | 5.5 |
| 笔记 | *1: 10%-duty RF 脉冲(直流电源常数) *2: Pout=(Ave.) , W-CDMA(3GPP3.4 12-00)BS-1 64ch 85% 削波调制(PAR=8.5dB@0.01 %) *3：抽样测试：样本大小 10 件。Criteria(accept / reject)=(0 / 1) 注：Tc (op)=+25°C |
产品规格
产品详情
零件号
SG26F30S-D
制造商
住友电工设备创新
描述
DC 至 2.7 GHz，增益 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
无线基础设施
应用
WCDMA、LTE、基站
频率
直流至 2.7 GHz
力量
43分贝
功率(W)
19.95 瓦
饱和功率
45 至 46 dBm
功率增益 (Gp)
17.5 至 18.5 分贝
电源电压
50 伏
电压 - 漏源 (Vdss)
50 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-15 伏
排水效率
11.5 至 13.5%
功耗 (Pdiss)
23.8 瓦
热阻
5.5 至 6.5 度 C/W
包装类型
表面贴装
RoHS
是的
贮存温度
-40 至 125 摄氏度
笔记
增益平坦度：1.6 dB，正向栅极电流：76 mA，反向栅极电流：-1.3 mA
FLM5964-35F
FLM5964-8F/001
ELM5964-16F
FLM5964-8F
FLM5964-4F/001
SLM5868-25F
FLM5964-18F
FLM5964-25F
FLM5964-12F/001
FLM5964-4F
FLM5964-45F
ELM5964-10F
FLM5964-6F
FLM5964-12F
FLM5053-8F
FLM5359-4F
FLM5359-12F
FLM4450-45F
FLM5053-18F
FLM5359-18F
FLM5053-25F
FLM5359-35F
FLM4450-25F
FLM5053-12F
FLM4450-4F
FLM4450-18F
FLM4450-12F
FLM5053-4F
FLM5359-8F
FLM4450-8F
FLM5053-35F
FLM5359-25F
FLM3742-18F
FLM3439-18F
FLM3135-18F
FLM3135-8F
FLM3439-4F
FLM3742-25F
FLM3439-8F
FLM2023L-30F
FLM3742-4F
FLM3135-4F
FLM3439-12F
FLM2527L-20F
