Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGFCF15S-D 是一款射频晶体管，频率 DC 至 3.7 GHz，功率 39.5 dBm，功率（W）8.91 W，饱和功率 41.5 至 42.5 dBm，功率增益（Gp）18.5 至 19.5 dB。标签：表面贴装。SGFCF15S-D 的更多细节可以在下面看到。
| 零件号 | SGFCF15S-D |
|---|---|
| 功能 | 高压 - 塑料 GaN-HEMT |
| 特征 |
|
| 描述 | 住友电工的 GaN-HEMT 为工作电压为 50V 的高功率 L 波段放大器提供高效率、易于匹配、更高的一致性和宽带宽，并为您提供更高的增益。该器件的目标应用是基站收发器的微蜂窝的驱动阶段和最后阶段。 |
| 单/双 | 单身的 |
|---|---|
| 操作频率 (GHz) | DC-3.7 |
| 测量频率 (GHz) | 2.65 |
| 典型值。(dBm) *1 | 42.5 |
| 噘嘴 (平均) (dBm) *2 | 29 |
| Gp @Pout(Ave.) 典型值。(分贝) *2 | 19.5 |
| ηd @Pout(Ave.) 典型值。(%) *2 | 13.5 |
| VDS (V) | 50 |
| IDS (直流) (毫安) | 75 |
| Rth典型值。(°C/W) *3 | 9 |
| 笔记 | *1: 10%-duty RF 脉冲(直流电源常数) *2: Pout=(Ave.) , W-CDMA(3GPP3.4 12-00)BS-1 64ch 85% 削波调制(PAR=8.5dB@0.01 %) *3：抽样测试：样本大小 10 件。Criteria(accept / reject)=(0 / 1) 注：Tc (op)=+25°C |
产品规格
产品详情
零件号
SGFCF15S-D
制造商
住友电工设备创新
描述
DC 至 3.7 GHz，增益 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
无线基础设施
应用
WCDMA、LTE、基站
频率
直流至 3.7 GHz
力量
39.5 分贝
功率(W)
8.91 瓦
饱和功率
41.5 至 42.5 dBm
功率增益 (Gp)
18.5 至 19.5 分贝
电源电压
50 伏
电压 - 漏源 (Vdss)
50 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-15 伏
排水效率
11.5 至 13.5%
功耗 (Pdiss)
14.8 瓦
热阻
9 到 10.5 度 C/W
包装类型
表面贴装
RoHS
是的
贮存温度
-40 至 125 摄氏度
笔记
正向栅极电流：33 mA，反向栅极电流：-0.5 mA
FLM3439-25F
FLM3742-12F
FLM3135-12F
FLM3742-8F
ELM7785-7PS
ELM5964-7PS
ELM6472-7PS
ELM6472-4PS
ELM7179-4PS
ELM7785-4PS
ELM5964-4PS
ELM7179-7PS
SGC8598-200A-R
SGC0910-300A-R
SGN3135-500H-R
