Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGK5867-100A/001 是一款射频晶体管，频率为 5.85 至 6.75 GHz，功率为 49.5 至 50.5 dBm，功率（W）为 89.13 至 112.2 W，增益为 12.5 至 13.5 dB，功率附加效率为 0.45。标签：法兰。SGK5867-100A/001 的更多详细信息见下文。
| 零件号 | SGK5867-100A/001 |
|---|---|
| 功能 | C 波段内部匹配 GaN-HEMT |
| 特征 |
|
| 描述 | SGK5867-100A/001 是一款高功率 GaN-HEMT，内部匹配标准通信频段，可在 50Ω 系统中提供最佳功率和增益。 |
| 频率 f (GHz) | 5.85-6.75 |
|---|---|
| 2tone 测试 LM3 Typ. (分贝) | -25 |
| 2tone 测试 @Pout SCL (dBm) | 44 |
| 噘嘴典型。(分贝) | 50.5 |
| GL.Typ (dB) | 13.5 |
| 添加类型（%） | 45 |
| VDS 典型值 (V) | 24 |
| lDS(DC) 典型值(A) | 4 |
| lDS(RF) 典型值(A) | 10 |
| Rth典型值。(°C/W) | 0.55 |
| 操作模式 | 连续波操作 |
| 笔记 | Tc(op)=+25°C |
产品规格
产品详情
零件号
SGK5867-100A/001
制造商
住友电工设备创新
描述
5.85 至 6.75 GHz、12.5 至 13.5 dB 增益 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
卫星通信
申请类型
C波段
连续波/脉冲
连续波
频率
5.85 至 6.75 GHz
力量
49.5 至 50.5 dBm
功率(W)
89.13 至 112.2 瓦
获得
12.5 至 13.5 分贝
功率附加效率
0.45
跨导
12秒
电源电压
24 伏
电压 - 漏源 (Vdss)
24 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-10 伏
漏电流
10 至 14 安
功耗 (Pdiss)
212 瓦
IMD
-25 分贝
阻抗 Z
50 欧姆
热阻
0.55 至 0.75 摄氏度/W
包装类型
法兰式
RoHS
是的
工作温度
-40 至 125 摄氏度
贮存温度
-55 至 125 摄氏度
笔记
饱和漏极电流：26 A，增益平坦度：1.6 dB，正向栅极电流：24.4 mA，反向栅极电流：-12.8 mA
SGN2729-600H-R
SGN3035-150H-R
SGN21-120H-R
SGN26C320I2D
SGN31E030MK
SGN21C050MK
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SGK5254-30A-R
EGN26C210I2D
SGK5254-120A-R
EGN26C105I2D
EGN16C105MK
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EGN21C030MK
EGN21C020MK
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EGN26C020MK
EGN21C320IV
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SGN19C210I2D
EGN21C105I2D
EGNC105MK
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EGNC210MK
SGN21C105MK
SGN19C160I2D
SGFCF20S-D
SG36F30S-D
SGFCF20T-D
SGFCF40T-D
SG26F30S-D
SGFCF15S-D
SGFCF10S-D
SGK1314-50A
SGK1314-60A
SGK7785-100A
SGK1314-30A
SGK1314-25A
SGK1011-25A
SGK5867-100A/001
SGK6472-60A
SGK5867-30A
SGK7785-60A
