Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGK5867-30A 是一款射频晶体管，频率为 5.85 至 6.75 GHz，功率为 44 至 45 dBm，功率（W）为 25.12 至 31.62 W，增益为 12.5 至 13.5 dB，功率附加效率为 0.45。标签：法兰。SGK5867-30A 的更多详细信息见下文。
| 零件号 | SGK5867-30A |
|---|---|
| 功能 | C 波段内部匹配 GaN-HEMT |
| 特征 |
|
| 描述 | SGK5867-30A 是一款高功率 GaN-HEMT，内部匹配标准通信频段，可在 50Ω 系统中提供最佳功率和增益。 |
| 频率 f (GHz) | 5.85-6.75 |
|---|---|
| 2tone 测试 LM3 Typ. (分贝) | -45 |
| 2tone 测试 @Pout SCL (dBm) | 29.5 |
| 噘嘴典型。(分贝) | 45 |
| GL.Typ (dB) | 13.5 |
| 添加类型（%） | 45 |
| VDS 典型值 (V) | 24 |
| lDS(DC) 典型值(A) | 1.75 |
| lDS(RF) 典型值(A) | 2.7 |
| Rth典型值。(°C/W) | 2.2 |
| 操作模式 | 连续波操作 |
| 笔记 | Tc(op)=+25°C |
产品规格
产品详情
零件号
SGK5867-30A
制造商
住友电工设备创新
描述
5.85 至 6.75 GHz、12.5 至 13.5 dB 增益 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
卫星通信
申请类型
C波段
连续波/脉冲
连续波
频率
5.85 至 6.75 GHz
力量
44 至 45 dBm
功率(W)
25.12 至 31.62 瓦
获得
12.5 至 13.5 分贝
功率附加效率
0.45
跨导
3秒
电源电压
24 伏
电压 - 漏源 (Vdss)
24 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-10 伏
漏电流
2.7 至 4 安
功耗 (Pdiss)
86.5 瓦
IMD
-45 至 -40 分贝
阻抗 Z
50 欧姆
热阻
2.2 至 2.6 摄氏度/W
包装类型
法兰式
RoHS
是的
贮存温度
-55 至 125 摄氏度
笔记
饱和漏极电流：6.5 A，正向栅极电流：6.1 mA，反向栅极电流：-3.2 mA
FLC097WF
FLX207MH-12
FLC257MH-8
FLC087XP
FLC257MH-6
FLL400IP-2
FLK057WG
FLK107MH-14
FLU10ZME1
FLU35XM
FLM1415-3F
FLU10XM
FLU17ZME1
FLL177ME
FLL107ME
FLL57MK
FLU17XM
FLM1415-4F
FLM1415-6F
FLU35ZME1
FLM1415-8F
FLM1414-12F
ELM1414-30F/001
FLL357ME
ELM1314-30F/001
FLM1414-4F
FLM1414-3F
FLM1314-12F
FLM1314-18F
FLM1414-8F
FLM1414-6F
ELM1314-9F
FLM1314-6F
FLM1213-4F
FLM0910-4F
FLM1213-6F
FLM1213-12F
FLM0910-15F
FLM1011-8F
FLM1011-6F
FLM1314-8F
FLM1011-20F
FLM0910-3F
FLM1011-3F
