--- 产品参数 ---
- 频率 7.7 至 8.5 GHz
- 力量 47 至 48 dBm
- 功率(W) 50.12 至 63.1 瓦
- 获得 9.5 至 11 分贝
- 功率附加效率 0.37
--- 产品详情 ---

Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGK7785-60A 是一款射频晶体管,频率为 7.7 至 8.5 GHz,功率为 47 至 48 dBm,功率(W)为 50.12 至 63.1 W,增益为 9.5 至 11 dB,功率附加效率为 0.37。标签:法兰。SGK7785-60A 的更多详细信息见下文。

| 零件号 | SGK7785-60A |
|---|---|
| 功能 | C 波段内部匹配 GaN-HEMT |
| 特征 |
|
| 描述 | SGK7785-60A 是一款高功率 GaN-HEMT,内部匹配标准通信频段,可在 50Ω 系统中提供最佳功率和增益。 |
| 频率 f (GHz) | 7.7-8.5 |
|---|---|
| 2tone 测试 LM3 Typ. (分贝) | -42 |
| 2tone 测试 @Pout SCL (dBm) | 32 |
| 噘嘴典型。(分贝) | 48 |
| GL.Typ (dB) | 11 |
| 添加类型(%) | 37 |
| VDS 典型值 (V) | 24 |
| lDS(DC) 典型值(A) | 2.6 |
| lDS(RF) 典型值(A) | 5.4 |
| Rth典型值。(°C/W) | 1.3 |
| 操作模式 | 连续波操作 |
| 笔记 | Tc(op)=+25°C |
产品规格
产品详情
零件号
SGK7785-60A
制造商
住友电工设备创新
描述
7.7 至 8.5 GHz、9.5 至 11 dB 增益 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
卫星通信
申请类型
X波段
连续波/脉冲
连续波
频率
7.7 至 8.5 GHz
力量
47 至 48 dBm
功率(W)
50.12 至 63.1 瓦
获得
9.5 至 11 分贝
功率附加效率
0.37
跨导
6秒
电源电压
24 伏
电压 - 漏源 (Vdss)
24 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-10 伏
漏电流
5.4 至 7 安
功耗 (Pdiss)
112 瓦
IMD
-42 至 -38 dBc
阻抗 Z
50 欧姆
热阻
1.3 到 1.5 摄氏度/W
包装类型
法兰式
RoHS
是的
工作温度
-40 至 125 摄氏度
贮存温度
-55 至 125 摄氏度
笔记
饱和漏极电流:13 A,增益平坦度:1.2 dB,正向栅极电流:12.2 mA,反向栅极电流:-6.4 mA
FLM1314-3F
FLM1011-15F
FLM1011-4F
FLM1011-12F
FLM1213-8F
FLM0910-8F
FLM0910-25F
FLM0910-12F
FLM7785-12F
FLM8596-4F
FLM7185-6F
FLM7785-45F
ELM7785-35F
ELM7785-16F
FLM8596-8F
ELM7785-60F
FLM7785-6F
FLM7785-4F
FLM8596-15F
FLM7785-18F
FLM7785-8F
ELM7785-10F
FLM7185-12F
FLM7179-18F
FLM8596-12F
FLM6472-4F
FLM5972-4F
FLM6472-18F
ELM7179-16F
ELM7179-10F
FLM7179-4F
ELM6472-16F
FLM5972-8F
ELM6472-10F
FLM7179-6F
FLM6472-25F
FLM7179-12F
FLM6472-6F
FLM5972-12F
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