Sumitomo Electric Device Innovations 的 FHX35LG 是一款射频晶体管，频率为 12 GHz，功率为 17 dBm，功率（W）为 0 至 0.05 W，增益为 8.5 至 10 dB，噪声系数为 1.2 至 1.6 dB。标签：表面贴装。FHX35LG 的更多细节可以在下面看到。
| 零件号 | FHX35LG |
|---|---|
| 功能 | 超低噪声 HEMT |
| 特征 |
|
| 描述 | FHX35LG 是一款高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于 2-18GHz 频率范围内的通用、低噪声和高增益放大器。该器件采用经济高效、低寄生、气密密封 (LG) 或环氧树脂密封 (LP) 金属陶瓷封装，适用于大容量电信、DBS、TVRO、VSAT 或其他低噪声应用。住友电工严格的质量保证计划可确保最高的可靠性和始终如一的性能。 |
| 噪声系数 NF Typ. （D b） | 1.2 |
|---|---|
| 相关增益气体典型值。（D b） | 10 |
| 漏极电压 VDS (V) | 3 |
| 漏极电流 lDS (mA) | 10 |
| 频率 f (GHz) | 12 |
| 应用 | 低噪声放大器、混音器、GPS |
| 笔记 | Tc(op)=+25°C |
产品规格
产品详情
零件号
FHX35LG
制造商
住友电工设备创新
描述
12 GHz、8.5 至 10 dB 增益 GaAs HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
砷化镓
应用行业
卫星通信
频率
12GHz
力量
17分贝
功率(W)
0 至 0.05 瓦
获得
8.5 至 10 分贝
噪声系数
1.2 至 1.6 分贝
电源电压
3伏
输入功率
-5 至 10 dBm
漏电流
15 至 85 毫安
热阻
220 至 300 度 C/W
包装类型
表面贴装
包裹
LG
方面
4.78 × 4.78 × 1.3
RoHS
是的
贮存温度
-65 至 175 摄氏度
笔记
栅源击穿电压：-0.3 V
FLC097WF
FLX207MH-12
FLC257MH-8
FLC087XP
FLC257MH-6
FLL400IP-2
FLK057WG
FLK107MH-14
FLU10ZME1
FLU35XM
FLM1415-3F
FLU10XM
FLU17ZME1
FLL177ME
FLL107ME
FLL57MK
FLU17XM
FLM1415-4F
FLM1415-6F
FLU35ZME1
FLM1415-8F
FLM1414-12F
ELM1414-30F/001
FLL357ME
ELM1314-30F/001
FLM1414-4F
FLM1414-3F
FLM1314-12F
FLM1314-18F
FLM1414-8F
FLM1414-6F
ELM1314-9F
FLM1314-6F
FLM1213-4F
FLM0910-4F
FLM1213-6F
FLM1213-12F
FLM0910-15F
FLM1011-8F
FLM1011-6F
FLM1314-8F
FLM1011-20F
FLM0910-3F
FLM1011-3F
