--- 产品参数 ---
- 频率 12GHz
- 获得 10 到 20 分贝
- 噪声系数 0.55 至 0.65 分贝
- 电源电压 2伏
- 漏电流 10 至 60 毫安
--- 产品详情 ---
Sumitomo Electric Device Innovations 的 FHX45X 是一款射频晶体管,频率为 12 GHz,增益为 10 至 20 dB,噪声系数为 0.55 至 0.65 dB,电源电压为 2 V,漏极电流为 10 至 60 mA。标签: 芯片。FHX45X 的更多细节可以在下面看到。

| 零件号 | FHX45X |
|---|---|
| 功能 | GaAs FET 和 HEMT 芯片 |
| 特征 |
|
| 描述 | FHX45X 是一款超高电子迁移率晶体管 (SuperHEMTTM),适用于 2-18GHz 频率范围内的通用、超低噪声和高增益放大器。该器件非常适合电信、DBS、TVRO、VSAT 或其他低噪声应用。住友电工严格的质量保证计划可确保最高的可靠性和始终如一的性能。 |
| 噪声系数 NF Typ. (D b) | 0.55 |
|---|---|
| 相关增益气体典型值。(D b) | 12 |
| 漏极电压 VDS (V) | 2 |
| 漏极电流 lDS (mA) | 10 |
| 频率 f (GHz) | 12 |
| 应用 | 低噪声放大器 |
| 笔记 | Tc(op)=+25°C 常规芯片 |
产品规格
产品详情
零件号
FHX45X
制造商
住友电工设备创新
描述
12 GHz、10 至 20 dB 增益 GaAs HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
砷化镓
应用行业
卫星通信
频率
12GHz
获得
10 到 20 分贝
噪声系数
0.55 至 0.65 分贝
电源电压
2伏
漏电流
10 至 60 毫安
热阻
155 到 200 度 C/W
包装类型
芯片
RoHS
是的
贮存温度
-65 至 175 摄氏度
笔记
栅源击穿电压:-0.3 V
SGK5867-60A
SGK6472-30A
SGK5872-20A
SGK7785-30A
FHX76LP
FHX35X
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