Sumitomo Electric Device Innovations 的 FHX13X 是一款射频晶体管，频率为 12 GHz，功率为 14 dBm，功率（W）为 0 至 0.03 W，增益为 11 至 13 dB，噪声系数为 0.45 至 0.5 dB。标签： 芯片。FHX13X 的更多细节可以在下面看到。
| 零件号 | FHX13X |
|---|---|
| 功能 | GaAs FET 和 HEMT 芯片 |
| 特征 |
|
| 描述 | FHX13X、FHX14X 是超高电子迁移率晶体管 (SuperHEMTTM)，适用于 2-18GHz 频率范围内的通用、超低噪声和高增益放大器。这些器件非常适合电信、DBS、TVRO、VSAT 或其他低噪声应用。住友电工严格的质量保证计划可确保最高的可靠性和始终如一的性能。 |
| 噪声系数 NF Typ. （D b） | 0.45 |
|---|---|
| 相关增益气体典型值。（D b） | 13 |
| 漏极电压 VDS (V) | 2 |
| 漏极电流 lDS (mA) | 10 |
| 频率 f (GHz) | 12 |
| 应用 | 低噪声放大器 |
| 笔记 | Tc(op)=+25°C 常规芯片 |
产品规格
产品详情
零件号
FHX13X
制造商
住友电工设备创新
描述
12 GHz、11 至 13 dB 增益 GaAs HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
砷化镓
应用行业
卫星通信
频率
12GHz
力量
14分贝
功率(W)
0 至 0.03 瓦
获得
11 至 13 分贝
噪声系数
0.45 至 0.5 分贝
电源电压
2伏
输入功率
-10 至 8 dBm
漏电流
10 至 60 毫安
热阻
220 至 300 度 C/W
包装类型
芯片
RoHS
是的
贮存温度
-65 至 175 摄氏度
笔记
栅源击穿电压：-0.3 V
FLM1314-3F
FLM1011-15F
FLM1011-4F
FLM1011-12F
FLM1213-8F
FLM0910-8F
FLM0910-25F
FLM0910-12F
FLM7785-12F
FLM8596-4F
FLM7185-6F
FLM7785-45F
ELM7785-35F
ELM7785-16F
FLM8596-8F
ELM7785-60F
FLM7785-6F
FLM7785-4F
FLM8596-15F
FLM7785-18F
FLM7785-8F
ELM7785-10F
FLM7185-12F
FLM7179-18F
FLM8596-12F
FLM6472-4F
FLM5972-4F
FLM6472-18F
ELM7179-16F
ELM7179-10F
FLM7179-4F
ELM6472-16F
FLM5972-8F
ELM6472-10F
FLM7179-6F
FLM6472-25F
FLM7179-12F
FLM6472-6F
FLM5972-12F
FLM7179-8F
FLM6472-12F
FLM6472-8F
FLM5964-18F/001
FLM5359-45F
