Sumitomo Electric Device Innovations 的 FHX14X 是一款射频晶体管，频率 12 GHz，功率 14 dBm，功率 (W) 0 至 0.03 W，增益 11 至 13 dB，噪声系数 0.55 至 0.6 dB。标签： 芯片。FHX14X 的更多细节可以在下面看到。
| 零件号 | FHX14X |
|---|---|
| 功能 | GaAs FET 和 HEMT 芯片 |
| 特征 |
|
| 描述 | FHX13X、FHX14X 是超高电子迁移率晶体管 (SuperHEMTTM)，适用于 2-18GHz 频率范围内的通用、超低噪声和高增益放大器。这些器件非常适合电信、DBS、TVRO、VSAT 或其他低噪声应用。住友电工严格的质量保证计划可确保最高的可靠性和始终如一的性能。 |
| 噪声系数 NF Typ. （D b） | 0.55 |
|---|---|
| 相关增益气体典型值。（D b） | 13 |
| 漏极电压 VDS (V) | 2 |
| 漏极电流 lDS (mA) | 10 |
| 频率 f (GHz) | 12 |
| 应用 | 低噪声放大器 |
| 笔记 | Tc(op)=+25°C 常规芯片 |
产品规格
产品详情
零件号
FHX14X
制造商
住友电工设备创新
描述
12 GHz、11 至 13 dB 增益 GaAs HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
砷化镓
应用行业
卫星通信
频率
12GHz
力量
14分贝
功率(W)
0 至 0.03 瓦
获得
11 至 13 分贝
噪声系数
0.55 至 0.6 分贝
电源电压
2伏
输入功率
-10 至 8 dBm
漏电流
10 至 60 毫安
热阻
220 至 300 度 C/W
包装类型
芯片
RoHS
是的
贮存温度
-65 至 175 摄氏度
笔记
栅源击穿电压：-0.3 V
SGN2729-600H-R
SGN3035-150H-R
SGN21-120H-R
SGN26C320I2D
SGN31E030MK
SGN21C050MK
SGN2729-250H-R
SGK5254-30A-R
EGN26C210I2D
SGK5254-120A-R
EGN26C105I2D
EGN16C105MK
EGN21C070MK
EGN35C030MK
EGN21C030MK
EGN21C020MK
EGN26C030MK
EGN26C020MK
EGN21C320IV
EGN21C210I2D
SGN19C210I2D
EGN21C105I2D
EGNC105MK
EGN21C160I2D
EGNC210MK
SGN21C105MK
SGN19C160I2D
SGFCF20S-D
SG36F30S-D
SGFCF20T-D
SGFCF40T-D
SG26F30S-D
SGFCF15S-D
SGFCF10S-D
SGK1314-50A
SGK1314-60A
SGK7785-100A
SGK1314-30A
SGK1314-25A
SGK1011-25A
SGK5867-100A/001
SGK6472-60A
SGK5867-30A
SGK7785-60A
