Sumitomo Electric Device Innovations 的 FLK017XP 是一款射频晶体管，频率 14.5 GHz，功率 19.5 至 20.5 dBm，功率 (W) 0.09 至 0.11 W，P1dB 19.5 至 20.5 dBm，功率增益 (Gp) 7 至 8 dB。标签： 芯片。FLK017XP 的更多细节可以在下面看到。
| 零件号 | FLK017XP |
|---|---|
| 功能 | GaAs FET 和 HEMT 芯片 |
| 特征 |
|
| 描述 | FLK017XP 芯片是一种功率 GaAs FET，专为 Ku 波段频率范围内的通用应用而设计，因为它提供了卓越的功率、增益和效率。住友电工严格的质量保证计划可确保最高的可靠性和始终如一的性能。 |
| 1dB 压缩功率 P1dB (dBm) | 20.5 |
|---|---|
| 1dB 压缩增益 G1dB (dB) | 8 |
| 频率 f (GHz) | 14.5 |
| 功率附加效率 η add (%) | 26 |
| 漏极电压 VDS (V) | 10 |
| 漏极电流 lDS (mA) | 36 |
| 应用 | Ku波段放大器 |
| 笔记 | Tc(op)=+25°C PHS ]（镀层散热片） |
产品规格
产品详情
零件号
FLK017XP
制造商
住友电工设备创新
描述
14.5 GHz，增益 GaAs FET
一般参数
晶体管类型
场效应管
技术
砷化镓
申请类型
古乐队
频率
14.5GHz
力量
19.5 至 20.5 dBm
功率(W)
0.09 至 0.11 瓦
P1dB
19.5 至 20.5 dBm
功率增益 (Gp)
7 到 8 分贝
功率附加效率
0.26
噪声系数
2.5分贝
电压 - 栅源 (Vgs)
-5 伏
漏电流
60 至 90 毫安
热阻
65 至 130 摄氏度
包装类型
芯片
RoHS
是的
贮存温度
-65 至 175 摄氏度
笔记
夹断电压：-3.5 至 -1 V，通道温度：175 摄氏度
FLM1314-3F
FLM1011-15F
FLM1011-4F
FLM1011-12F
FLM1213-8F
FLM0910-8F
FLM0910-25F
FLM0910-12F
FLM7785-12F
FLM8596-4F
FLM7185-6F
FLM7785-45F
ELM7785-35F
ELM7785-16F
FLM8596-8F
ELM7785-60F
FLM7785-6F
FLM7785-4F
FLM8596-15F
FLM7785-18F
FLM7785-8F
ELM7785-10F
FLM7185-12F
FLM7179-18F
FLM8596-12F
FLM6472-4F
FLM5972-4F
FLM6472-18F
ELM7179-16F
ELM7179-10F
FLM7179-4F
ELM6472-16F
FLM5972-8F
ELM6472-10F
FLM7179-6F
FLM6472-25F
FLM7179-12F
FLM6472-6F
FLM5972-12F
FLM7179-8F
FLM6472-12F
FLM6472-8F
FLM5964-18F/001
FLM5359-45F
