Sumitomo Electric Device Innovations 的 FLK207XV 是一款射频晶体管，频率为 14.5 GHz，功率为 31.5 至 32.5 dBm，功率（W）为 1.41 至 1.78 W，P1dB 为 31.5 至 32.5 dBm，功率增益（Gp）为 5 至 6 dB。标签： 芯片。FLK207XV 的更多细节可以在下面看到。
| 零件号 | FLK207XV |
|---|---|
| 功能 | GaAs FET 和 HEMT 芯片 |
| 特征 |
|
| 描述 | FLK207XV 芯片是一种功率 GaAs FET，专为 Ku 波段频率范围内的通用应用而设计，因为它提供了卓越的功率、增益和效率。住友电工严格的质量保证计划确保最高的可靠性和始终如一的性能 |
| 1dB 压缩功率 P1dB (dBm) | 32.5 |
|---|---|
| 1dB 压缩增益 G1dB (dB) | 6 |
| 频率 f (GHz) | 14.5 |
| 功率附加效率 η add (%) | 27 |
| 漏极电压 VDS (V) | 10 |
| 漏极电流 lDS (mA) | 480 |
| 应用 | Ku波段放大器 |
| 笔记 | Tc(op)=+25°C 过孔 PHS（镀层散热片） |
产品规格
产品详情
零件号
FLK207XV
制造商
住友电工设备创新
描述
14.5 GHz，增益 GaAs FET
一般参数
晶体管类型
场效应管
技术
砷化镓
申请类型
古乐队
频率
14.5GHz
力量
31.5 至 32.5 dBm
功率(W)
1.41 至 1.78 瓦
P1dB
31.5 至 32.5 dBm
功率增益 (Gp)
5 到 6 分贝
功率附加效率
0.27
电压 - 栅源 (Vgs)
-5 伏
漏电流
800 至 1200 毫安
热阻
10 到 12 摄氏度
包装类型
芯片
RoHS
是的
贮存温度
-65 至 175 摄氏度
笔记
夹断电压：-3.5 至 -1 V，通道温度：175 摄氏度
SMM5730XZ
SMM5731XZ
SMM5729XZ
SMM5728XZ
FMM5715X
FMM5704X
FMM5820X
SMM5727XZ
FMM5804X
SMM5846X
EMM5840X
FMM5716X
SMM5724XZ
FMM5714X
FMM5701X
FMM5703X
SMM5722XZ
SMM5723XZ
SMM5850XZ
FMM5709X
SMM5849XZ
EMM5832VU
EMM5074X
EMM5838V1B
EMM5068X
SMM5848XZ
EMM5075X
EMM5717X
EMM5078X
FMM5822X
SMM5855V1D
SMM5846V1D
EMM5079X
EMM5834X
FMM5059VU
FMM5822VU
SMM5085V1B
EMM5068VU
EMM5081V1B
SMM5845V1B
EMM5075VU
FMM5059VF
FMM5061VF
EMM5079ZB
