United Monolithic Semiconductors 的 CHA6710-FAB 是一款 X 波段两级功率放大器，工作频率为 8 至 12.75 GHz。它提供 5 W 的饱和输出功率，增益为 22.5 dB，功率附加效率为 35%。该放大器可以处理高达 30 dBm 的峰值输入功率。
该电路采用 GaN pHEMT 工艺、0.25μm 栅极长度、穿过衬底的通孔、空气桥和电子束栅极光刻技术制造。它采用符合 RoHS 的表面贴装密封金属陶瓷封装，尺寸为 6 x 6 mm，适用于国防和空间通信系统等应用。
CHA6710-FAB，一种采用密封封装的新型 GaN 5W MPA
UMS 正在开发其用于空间应用的产品系列。新型 CHA6710-FAB 是一款基于 GaN 的 5W X 波段（8 至 12.75GHz）中等功率放大器，采用密封金属陶瓷封装。
它具有 35% 的功率附加效率和 22.5dB 的线性增益。
该电路是在 UMS 专有空间评估的 0.25µm GaN HEMT 工艺上设计的。
CHA6710-FAB 推荐用于 X 波段雷达和空间 Ku 波段通信系统等应用。
该产品也可以作为裸片 (CHA6710-99F) 提供。
产品特点：
- 频率范围：8-12.75GHz
- 线性增益：22.5dB
- 饱和输出功率：5W
- 相关电源附加效率：35%
- 直流偏压：25V@0.2A
- 6x6mm 2密封金属陶瓷封装
产品规格
产品详情
零件号
CHA6710-FAB
制造商
联合单片半导体
描述
8 至 12.75 GHz 的 5 W X 波段 GaN 功率放大器
一般参数
类型
功率放大器
配置
IC/MMIC/SMT
行业应用
雷达、空间
频率
8 至 12.75 GHz
获得
22 至 23.5 dB（线性）
输出功率
36.53 至 37 dBm
输出功率
4.5 至 5 瓦
输入功率
23分贝
输入功率
0.2 瓦
PAE
33 至 35 %
脉冲/CW
连续波
脉冲宽度
25 美元
占空比
10%
子类别
氮化镓放大器
回波损耗
10分贝
电源电压
25 至 30 伏
静态电流
200毫安
晶体管技术
GaN pHEMT
包装类型
表面贴装
包裹
无铅密封金属陶瓷封装
方面
6 x 6 毫米
贮存温度
-55 至 150 摄氏度
CHR3894-98F
CHR3764-QEG
CHR3694-QDG
CHR2293-99F
CHR3861-QEG
CHR3352-QEG
CHR3362-QEG
CHR3894-QEG
CHR2291-99F
CHR3693-99F
CHR3364-QEG
CHR3663-QEG
CHM2179b98F
CHM1291-99F
CHM2378a99F
CHM1294-99F
CHM1290-99F
CHR2294-99F
CHR2295-99F
CHR3664-QEG
CHR2292-99F
CHR2411-QDG
CHS8618-99F
CHS7012-99F
CHS5104-99F
CHS2412-QDG
CHS5104-QAG
CHS2411-QDG
CHS5100-99F
CHS5105-QAG
CHK8101-SYC
CHK8101a99F
CHK015AaQIA
CHZ9012-QFA
CHZ180AaSEB
CHK8013-99F
CHKA011aSXA
CHK8015-99F
CHZ015A-QEG
EC2612-99F
CHK015A-QIA
CHK9014-99F
CHZ180A-SEB
CHK9013-99F
CHK025A-SOA
CHV2243a99F
