United Monolithic Semiconductors 的 CHK8101-SYC 是一款无与伦比的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，工作频率为 DC 至 6 GHz。它提供超过 15 W 的输出功率，具有 19 dB 的小信号增益和 64% 的功率附加效率。该晶体管采用 0.5 µm 栅极长度 GaN HEMT 技术开发，需要外部匹配电路。它设计用于在脉冲和连续波操作模式下工作，并为各种射频功率应用提供通用和宽带解决方案。HEMT 需要 50 V 的直流偏置并消耗 100 mA 的电流。它采用密封陶瓷金属法兰封装，适用于雷达和电信应用。
第一个符合空间要求的密封封装 GaN 功率晶体管
CHK8101-SYC 是专用于空间应用的 15W GaN 封装晶体管
感谢由 ESA 基础技术研究计划资助的欧洲 GREAT2 计划 ( Link ) 的支持，我们非常自豪地宣布发布 CHK8101-SYC，这是一款组装在全密封金属陶瓷法兰功率封装中的 15W GaN 功率晶体管.
这种无与伦比的 GaN 晶体管可用于高达 6GHz 的高性能射频功率应用。这种性能水平已经通过专用于 1.3GHz 应用的演示板得到验证，其中 20W CW 输出功率是在 50V 直流偏置下实现的，典型 PAE 为 64%，小信号增益为 20dB。
这款新产品采用我们的 GH50 空间评估 GaN-on-SiC 技术生产，目前处于采样阶段。资格测试正在进行中，目标是使该零件在 2022 年完全符合太空要求，并列入 ESA QPL（合格零件清单）。这是一系列符合空间要求的密封封装功率晶体管中的第一个，计划作为与 ESA 正在进行的 GH50 能力认证合作的一部分推出。
产品规格
产品详情
零件号
CHK8101-SYC
制造商
联合单片半导体
描述
15 W GaN HEMT，从直流到 6 GHz
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
氮化镓
应用行业
无线基础设施、雷达
应用
电信
连续波/脉冲
连续波，脉冲
频率
直流至 6 GHz
力量
41.7 分贝
功率(W)
15 瓦
P1dB
19分贝
饱和功率
20 瓦
获得
14分贝
功率附加效率
64 %
效率
73 %
特征
专为宽带操作、高效率、高功率增益而设计
电源电压
50 伏
击穿电压 - 漏源
180 伏
电压 - 漏源 (Vdss)
50 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-10 至 2 伏
漏电流
700毫安
漏极偏置电流
3毫安（最大）
静态漏极电流
200毫安
栅极漏电流 (Ig)
-0.4 毫安
匹配
需要外部匹配电路
输入电容
0.4 pF
结温 (Tj)
200摄氏度
热阻
5.8 C/W
包裹
3 引线密封陶瓷金属法兰封装
RoHS
是的
贮存温度
-55 至 150 摄氏度
CHA2098b99F
CHA6105-99F
CHA4107-QDG
CHA3656-QAG
CHA2157-99F
CHA5050-QDG
CHA2063a99F
CHA2190-99F
CHA3666-SNF
CHA2066-99F
CHA3666-QAG
CHA7114-99F
CHA2091-99F
CHA8100-99F
CHA2097a99F
CHA2069-QDG
CHA3688aQDG
CHA2193-99F
CHA4107-99F
CHA2292-99F
CHA2266-99F
CHA7115-99F
CHA2090-99F
CHA2293-99F
CHA2066-QAG
CHA2394-99F
CHA4105-99F
CHA2094b99F
CHA3801-QDG
CHA5115-99F
CHA3063-99F
CHA2092b99F
CHA3801-99F
CHA3666-99F
CHA3665-QAG
CHP3015-QDG
CHP4010-99F
CHP1102-QGG
CHR1080a98F
CHC6053-QQA
CHU2277-99F
CHX1162-QDG
CHX1191-98F
CHX2090-QDG
