United Monolithic Semiconductors 的 CHZ180AaSEB 是一款 L 波段 GaN HEMT 晶体管，工作频率为 1.2 至 1.4 GHz。它提供 180 W 的饱和输出功率，增益为 20 dB，PAE 为 52%。该脉冲器件具有 3 ms 的脉冲宽度和 20% 的占空比。
CHZ180AaSEB 采用 GaN HEMT 工艺制造，栅极长度为 0.5μm，基于准 MMIC 技术。它采用密封法兰陶瓷金属功率封装，提供低寄生电阻和热电阻。该放大器适用于 L 波段和脉冲雷达应用。
产品规格
产品详情
零件号
CHZ180AaSEB
制造商
联合单片半导体
描述
1.2 至 1.4 GHz 的 180 W GaN HEMT 晶体管
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
雷达、航空航天和国防
应用
脉冲应用
连续波/脉冲
连续波，脉冲
频率
1.2 至 1.4 GHz
力量
52 至 54 dBm (Psat)
功率(W)
158.5 至 251.18 瓦（Psat）
脉冲宽度
1.5 毫秒
占空比
10%
小信号增益
17.5 至 22 分贝
功率附加效率
45 至 52 %
电源电压
20 至 50 伏
击穿电压 - 漏源
200 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-1.9 伏
当前的
9个
漏电流
30安
静态漏极电流
1.3 至 3 安
栅极漏电流 (Ig)
-10 毫安
结温 (Tj)
220摄氏度
包装类型
陶瓷，4孔法兰
包裹
密封法兰陶瓷
RoHS
是的
工作温度
-40 至 85 摄氏度
贮存温度
-55 至 150 摄氏度
CHA4220-QGG
CHA3024-QGG
CHA3024-99F
CHA5659-QXG
CHA3666-FAA
CHA4220-98F
CHA6356-QXG
CHA6252-QFG
CHA6558-99F
CHA5356-QGG
CHA6005-99F
CHA6005-QEG
CHA6362-QXG
CHA6552-QJG
CHA8012-99F
CHA3513-99F
CHA6250-QFG
CHA3514-99F
CHA3512-99F
CHA3511-99F
CHA6015-99F
CHA5012-99F
CHA3092-99F
CHA3218-99F
CHA7012-99F
CHA2494-98F
CHA2395-99F
CHA2494-QEG
CHA1077a98F
CHA2391-99F
CHA2411-QDG
CHA4105-QDG
CHA2095a99F
CHA5014-99F
CHA3689-99F
CHA4863-QGG
CHA3664-QAG
CHA2069-99F
CHA5115-QDG
CHA3023-99F
CHA2159-99F
CHA7215-99F
CHA2093-99F
CHA2194-99F
