UMS 的 CHKA011aSXA 是一款 GaN 晶体管，在脉冲和 CW 模式下工作频率高达 1.5 GHz。它提供 150 瓦的饱和输出功率（25µs，10% 占空比），效率为 75%。它采用法兰金属陶瓷封装，非常适合雷达和电信应用。该产品采用 0.5µm 栅极长度 GaN HEMT 工艺制造，需要外部匹配网络。
新型 GaN 宽带能力晶体管
CHKA011aSXA 是一款 130W 无与伦比的封装氮化镓晶体管。
这种采用法兰金属陶瓷功率封装的晶体管可以工作在高达 1.5GHz 的频率下，具有 75% 的非常高的 PAE 和 150W 的饱和输出功率。它可用于脉冲或连续波模式。
CHKA011aSXA 专为多用途应用而开发，例如雷达和电信。
该产品是在内部 0.5µm 栅极长度 GaN HEMT 工艺上开发的。它需要一个外部匹配网络。
主要特点：
- 频率范围：DC - 1.5GHz
- 脉冲和连续波操作模式
- • 大功率：130W
- • 高效率：75% PAE
- • Psat：150W
- • 直流偏置：Vd=50V @ Id=640mA
- • 法兰金属陶瓷封装
- VDS = 50V，ID_Q=640mA，引脚=32dBm
- 脉冲模式（25µs，10%）
产品规格
产品详情
零件号
CHKA011aSXA
制造商
联合单片半导体
描述
从 DC 到 1.5 GHz 的 150 W GaN 晶体管
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
雷达，蜂窝
连续波/脉冲
连续波，脉冲
频率
直流至 1.5 GHz
饱和功率
150W（典型值），130W（最小值）
效率
75 %
电源电压
50 伏
漏电流
640毫安
包装类型
法兰式
包裹
陶瓷制品
CHA4253a98F
CHA8352-99F
CHA7618-99F
CHA3024-FDB
CHA4350-QDG
CHA2362-98F
CHA3409-98F
CHA7060-QWA
CHA8611-99F
CHA2595-QDG
CHA8054-99F
CHA6710-FAB
CHA6653-98F
CHZ8012-QJA
CHA6710-99F
CHA4861-QGG
CHA3080-98F
CHA3090-98F
CHA4102-QEG
CHA6194-QXG
CHA3398-QDG
CHA3395-QDG
CHA4253aQQG
CHA3397-QDG
CHA5050-99F
CHA6652-QXG
CHA3396-QDG
CHA3660-QQG
CHA6653-QXG
CHA6550-QXG
CHA5350-99F
CHA4250-QDG
CHA5266-QDG
CHA5250-QDG
CHA3565-QAG
CHA5266-FAA
CHA5266-99F
CHA1008-99F
CHA2080-98F
CHA2069-FAA
CHA2441-QAG
CHA2110-98F
CHA2110-QDG
CHA1010-99F
