United Monolithic Semiconductors 的 CHA7618-99F 是一款工作频率为 5.5 至 18 GHz 的功率放大器。它提供 10 W 的输出功率和 30 dB 的线性增益，并具有 20% 的功率附加效率。该放大器基于 UMS 专有的 0.15 µm GaN HEMT 技术。它需要 18 V 的直流电源并消耗 0.53 A 的电流。该放大器采用表面贴装封装，尺寸为 5.80 x 3.48 x 0.07 mm，适用于电子战、信号干扰器、测试和仪器仪表以及微波系统（雷达和通信）应用。
一种新型 10W 宽带 GaN HPA
CHA7618-99F 覆盖 5.5 至 18GHz，具有 30dBm 的高增益性能
这款高功率放大器具有 20% 的功率附加效率和 30dB 的小信号增益。
该电路专用于众多应用，例如国防：电子战、干扰器、测试和仪器仪表以及微波应用和系统（雷达和通信）。
它采用 0.15µm GaN HEMT UMS 专有技术设计。
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主要特点：
- 频率范围：5.5-18GHz
- 线性增益：30dB
- 输出功率（引脚20dBm）：40dBm
- PAE（引脚 20dBm）：20%
- 回波损耗：输入 RL >10dB
输出 RL >7dB - 直流偏置：18V@0.53A
- 芯片尺寸：5.8mmx3.48mmx0.07mm
产品规格
产品详情
零件号
CHA7618-99F
制造商
联合单片半导体
描述
5.5 至 18 GHz 的 10 W GaN 功率放大器
一般参数
类型
功率放大器
配置
IC/MMIC/SMT
行业应用
航空航天与国防、干扰、测试与测量、雷达
频率
5.5 至 18 GHz
获得
30分贝
输出功率
40分贝
输出功率
10 瓦
年级
商业的
输入功率
20分贝
输入功率
0.1 瓦
输入回波损耗
10分贝
输出回波损耗
7分贝
电源电压
18 伏
目前的消费
0.53 安
技术
氮化镓 HEMT
方面
5.8mmx3.48mmx0.07mm
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