United Monolithic Semiconductors 的 CHS8618-99F 是一款射频开关，频率为 6 至 18 GHz，插入损耗 1.3 dB，隔离度 34 dB，P1dB 42 dBm，P1dB 15.84 W。标签：芯片，固态。有关 CHS8618-99F 的更多详细信息，请参见下文。
新开关：CHS8618-99F
CHS8618-99F 是一款 GaN 反射 SPDT 开关。
它展示了：
- 高输入P-1dB：>42dBm
- 低插入损耗：1.3dB
- 开关速度：30ns（测试到 Pin 40dBm）
本产品具有-25V/0V控制电压。
CHS8618-99F 设计用于从国防到雷达和商业通信系统的广泛应用。
它采用 UMS 内部 GaN 0.25µm pHEMT 工艺设计。
概括：
- 频率范围：6-18GHz
- IP1dB：>42dBm
- 站内插入损耗：1.3dB
- 引脚最大值：42.7dBm
- 开关速度：30ns
- 控制电压：-25V/0V
- 芯片尺寸：1.65×2.18×0.1mm
产品规格
产品详情
零件号
CHS8618-99F
制造商
联合单片半导体
描述
GaN/SiC pHEMT SPDT 开关，6 至 18 GHz
一般参数
类型
固体状态
配置
单刀双掷
终止
反光的
应用行业
无线通信
频率
6 至 18 GHz
插入损耗
1.3分贝
隔离
34分贝
P1dB
42分贝
P1dB
15.84 瓦
力量
42分贝（IP1分贝）
力量
15.84 瓦
电源电压
-25 至 0 V
开关速度
30 纳秒
包装类型
死
方面
1.65 x 2.18 x 0.1 毫米
技术
pHEMT
工作温度
-40 至 85 摄氏度
贮存温度
-55 至 150 摄氏度
年级
商业、军事
RoHS
是的
CHA4220-QGG
CHA3024-QGG
CHA3024-99F
CHA5659-QXG
CHA3666-FAA
CHA4220-98F
CHA6356-QXG
CHA6252-QFG
CHA6558-99F
CHA5356-QGG
CHA6005-99F
CHA6005-QEG
CHA6362-QXG
CHA6552-QJG
CHA8012-99F
CHA3513-99F
CHA6250-QFG
CHA3514-99F
CHA3512-99F
CHA3511-99F
CHA6015-99F
CHA5012-99F
CHA3092-99F
CHA3218-99F
CHA7012-99F
CHA2494-98F
CHA2395-99F
CHA2494-QEG
CHA1077a98F
CHA2391-99F
CHA2411-QDG
CHA4105-QDG
CHA2095a99F
CHA5014-99F
CHA3689-99F
CHA4863-QGG
CHA3664-QAG
CHA2069-99F
CHA5115-QDG
CHA3023-99F
CHA2159-99F
CHA7215-99F
CHA2093-99F
CHA2194-99F
