UMS 的 CHK8015-99F 是一款氮化镓高电子迁移率晶体管，工作频率高达 18 GHz。它提供 20 瓦的功率和 17 dB 的信号增益和 68% @ 9 GHz 的功率附加效率。该器件需要 30 V 电源，专为各种射频电源应用而设计。它以裸片形式提供，尺寸为 0.88 x 2 x 0.1 mm。该电路采用 SiC 衬底上的 0.25µm 栅极长度 GaN HEMT 技术制造，需要外部匹配电路。
用于下一代 SSPA 的 GaN 功率块
UMS 推出一系列新的裸片 GaN 电源棒
- 大功率
- 高效率
- 宽带能力
- 兼容脉冲和 CW 操作模式
这些设备可以根据特定要求在系统中进行优化：PAE、功率、鲁棒性……为了微调整体性能，我们的 ULRC 技术可在代工模式下使用，可以设计所需的匹配元件。
UMS 电源条还提供密封、塑料或法兰封装。
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| CHK8015-99F | CHK8101-99F | CHK9014-99F | CHK9013-99F | CHKA012-99F | |
| Nb 细胞 | 4 | 2 | 8 | 8 | 8 |
| 最大频率 (GHz) | 18 | 6 | 13 | 7 | 4 |
| 最大噘嘴 (W) | 16 | 20 | 55 | 85 | 140 |
| PAE* | 65%@9GHz | 60%@6GHz | 50%@12GHz | 69%@5GHz | 65%@3GHz |
| 技术 | GH25 | GH50 | GH25 | GH25 | GH50 |
| 尺寸（毫米） | 0.88x2x0.1 | 1.05×1.55×0.1 | 0.88×4.27×0.1 | 0.9×4.27×0.1 | 1×4.84×0.1 |
- 在演示板上实现
这些设备可以根据特定要求在系统中进行优化：PAE、功率、鲁棒性……为了微调整体性能，我们的 ULRC 技术可在代工模式下使用，可以设计所需的匹配元件。
UMS 电源条还提供密封、塑料或法兰封装。
产品规格
产品详情
零件号
CHK8015-99F
制造商
联合单片半导体
描述
从 DC 到 18 GHz 的 20 W 功率晶体管
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
雷达、无线基础设施
连续波/脉冲
脉冲，连续波
频率
直流至 18 GHz
力量
42.04 分贝
功率(W)
16 瓦
饱和功率
20 瓦
小信号增益
17分贝
功率附加效率
0.68
电源电压
30 伏
阈值电压
80 伏
漏栅电压
120 伏
击穿电压 - 漏源
30 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-3.3 至 -20 V
漏电流
1个
静态漏极电流
0.2 至 0.46 A
栅极漏电流 (Ig)
-0.8 毫安
结温 (Tj)
200摄氏度
热阻
6 度 C/W
包装类型
死
RoHS
是的
贮存温度
-55 至 150 摄氏度
笔记
栅极电流正向模式：0 至 16 mA，Pich Off 电压：-4 至 -2.8 V，饱和漏极电流：3.6 A
CHA4253a98F
CHA8352-99F
CHA7618-99F
CHA3024-FDB
CHA4350-QDG
CHA2362-98F
CHA3409-98F
CHA7060-QWA
CHA8611-99F
CHA2595-QDG
CHA8054-99F
CHA6710-FAB
CHA6653-98F
CHZ8012-QJA
CHA6710-99F
CHA4861-QGG
CHA3080-98F
CHA3090-98F
CHA4102-QEG
CHA6194-QXG
CHA3398-QDG
CHA3395-QDG
CHA4253aQQG
CHA3397-QDG
CHA5050-99F
CHA6652-QXG
CHA3396-QDG
CHA3660-QQG
CHA6653-QXG
CHA6550-QXG
CHA5350-99F
CHA4250-QDG
CHA5266-QDG
CHA5250-QDG
CHA3565-QAG
CHA5266-FAA
CHA5266-99F
CHA1008-99F
CHA2080-98F
CHA2069-FAA
CHA2441-QAG
CHA2110-98F
CHA2110-QDG
CHA1010-99F
