United Monolithic Semiconductors 的 EC2612-99F 是一款射频晶体管，频率 DC 至 40 GHz，功率 24.47 dBm，功率 (W) 0.28 W，增益 8 至 14 dB，噪声系数 1.5 至 1.9 dB。标签：模具，芯片。EC2612-99F 的更多细节可以在下面看到。
利用 UMS EC2612 晶体管发挥 GaAs 的优势
EC2612-99F 是一款理想的小型晶体管，适用于低噪声应用和/或切换到非常高的频率。
EC2 612-99F是一款非常小的高频晶体管，在直流到毫米波频率范围内具有非常高的增益和非常低的噪声系数。
0.8dB 噪声系数和 12dB 相关增益在 18GHz 或 1.5dB 噪声系数和 9.5dB 相关增益在 40GHz 是典型的品质因数。
这种 GaAs 0.15µm pHEMT 晶体管，当用于非常低的噪声放大时，通常偏置在 2 到 3 伏特，也可以用作具有极低寄生和非常宽带能力的源极接地理想开关，典型的夹断电压是 - 0.7伏。
这种小巧紧凑的 GaAs 晶体管非常适合许多需要高性能低噪声放大和将小信号切换到非常高频率的毫米波应用。
2021 年 10 月 26 日 - 产品
产品规格
产品详情
零件号
EC2612-99F
制造商
联合单片半导体
描述
DC 至 40 GHz 低噪声 GaN on SiC pHEMT
一般参数
晶体管类型
pHEMT
技术
GaN on SiC、GaAs、GaN
应用行业
雷达、无线基础设施
连续波/脉冲
连续波
频率
直流至 40 GHz
力量
24.47 分贝
功率(W)
0.28 瓦
获得
8 到 14 分贝
噪声系数
1.5 至 1.9 分贝
跨导
50 至 70 毫秒
电源电压
3伏
击穿电压 - 漏源
3.5V
电压 - 栅源 (Vgs)
-2.5 伏
栅极漏电流 (Ig)
0.005 毫安
包装类型
模具，芯片
RoHS
是的
工作温度
175摄氏度
贮存温度
-55 至 175 摄氏度
笔记
Pich Off 电压：-1 至 -0.3 V，饱和漏极电流：10 至 60 mA
CHX2092a99F
CHX1191-QDG
CHX2095a99F
CHX2091-99F
CHX2090-99F
CHX2089-99F
CHX2193-99F
CHU3377-98F
CHX1094-99F
CHX3068-QDG
CHU2277a98F
CHX2192-99F
CHC3014-99F
CHC2442-QPG
CHT4660-FAB
CHT4690-FAA
CHT4699-QDG
CHT3029-QEG
CHT4016-QEG
CHT4012a98F
CHE1270a98F
CHE1270-QAG
CHE1270a99F
CHE1260
CHE1260-QAG
CHE1270a98F
CHE1270-QAG
CHE1270a99
CHT4694-QAG
CHT4660-QAG
CHT4694-99F
CHT4690-99F
CHT3091aQAG
CHT3091a99F
CHT4690-QAG
CHM1080-98F
CHR3394-QEG
CHR2296-99F
CHM1298-99F
CHR2299-99F
CHR3662-QDG
CHR3693-QDG
CHR2297-98F
CHR2391-99F
