United Monolithic Semiconductors 的 CHK015A-QIA 是一款射频晶体管，频率 DC 至 6 GHz，功率 41.76 dBm，功率（W）15 W，饱和功率 15 至 20 W，增益 18 至 20 dB。标签：表面贴装。有关 CHK015A-QIA 的更多详细信息，请参见下文。
Amcad 在 UMS 零件上进行演示
在 EUMW，请参阅有关 UMS 零件的 Amcad 系统现场演示。
在 EuMW（9 月 8 日至 10 日在巴黎）期间，为射频和微波 IC 市场提供测试和建模的先进解决方案和工具的提供商 Amcad 将使用我们的 CHK015A-QIA 功率 GaN 产品进行现场演示其测量系统与其他 GH50 和 GH25 设备一样。演示将包括以下演示：
- 脉冲模式下的 IV 和 S 参数，
- 负载拉力测量，
- Pulse IV 系统与 Microsan JNT210 热反射系统相结合
CHK015A 器件是 UMS 大功率 GaN 15W 封装晶体管：
- 大功率：>15W
- 高漏极效率：高达 70%
- 高达 6GHz 频率的宽带能力
产品规格
产品详情
零件号
CHK015A-QIA
制造商
联合单片半导体
描述
DC 至 6 GHz 低噪声 GaN on SiC HEMT
一般参数
晶体管类型
HEMT
技术
碳化硅上氮化镓、氮化镓
应用行业
雷达、无线基础设施
连续波/脉冲
脉冲，连续波
频率
直流至 6 GHz
力量
41.76 分贝
功率(W)
15 瓦
饱和功率
15 至 20 瓦
获得
18 至 20 分贝
功率附加效率
0.6
电源电压
50 伏
漏栅电压
180 伏
击穿电压 - 漏源
50 伏
电压 - 栅源 (Vgs)
-1.9 伏
漏电流
0.65 安
静态漏极电流
0.1 至 0.35 A
栅极漏电流 (Ig)
-0.8 毫安
结温 (Tj)
200摄氏度
热阻
6 度 C/W
包装类型
表面贴装
RoHS
是的
贮存温度
-55 至 150 摄氏度
笔记
栅极电流正向模式：0 至 24 mA，Pich Off 电压：-3 至 -1 V，饱和漏极电流：2.7 A
CHA2098b99F
CHA6105-99F
CHA4107-QDG
CHA3656-QAG
CHA2157-99F
CHA5050-QDG
CHA2063a99F
CHA2190-99F
CHA3666-SNF
CHA2066-99F
CHA3666-QAG
CHA7114-99F
CHA2091-99F
CHA8100-99F
CHA2097a99F
CHA2069-QDG
CHA3688aQDG
CHA2193-99F
CHA4107-99F
CHA2292-99F
CHA2266-99F
CHA7115-99F
CHA2090-99F
CHA2293-99F
CHA2066-QAG
CHA2394-99F
CHA4105-99F
CHA2094b99F
CHA3801-QDG
CHA5115-99F
CHA3063-99F
CHA2092b99F
CHA3801-99F
CHA3666-99F
CHA3665-QAG
CHP3015-QDG
CHP4010-99F
CHP1102-QGG
CHR1080a98F
CHC6053-QQA
CHU2277-99F
CHX1162-QDG
CHX1191-98F
CHX2090-QDG
