深圳市三佛科技有限公司供应XD025H120BM1S3国产IBGT管25A 1200V ，原装现货
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
| IBGT +FRD单管 | 1 | 5A 1200V TO-252-3L | XD005G120AY1G3 | 充电抢 |
| 2 | 10A 1200V TO-220F-3L | XD010H120AY1H3 | 充电抢 | |
| 3 | 15A 1200V TO-247-3L | XD015H120BM1S3 | 电机控制 | |
| 4 | 15A 1200V TO-247-3L | XD015H120AY1S3 | 1.5KW使用,不能用在2.2KW | |
| 5 | 25A 1200V TO-247-3L | XD025H120BM1S3 | 电机控制 | |
| 6 | 40A 1200V TO-247-3L | XD040H120AT1S3 | 电机控制 | |
| 7 | 40A 1200V TO-247-3L | XD040H120BM1S3 | 电机控制 | |
| 8 | 40A 1200V TO-247-3L | XD040Q120AM1S3 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) | |
| 9 | 40A 1200V TO-247-3L | XD040Q120AY1S3 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) | |
| 10 | 6A 650V TO-252 | XD006H060CX1G3 | 电机控制 | |
| 11 | 6A 650V TO-220F-3L | XD006H060CX1H3 | 电机控制 | |
| 12 | 6A 650V TO-263 | XD006H060CX1R3 | 电机控制 | |
| 13 | 15A 650V TO-220 | XD015H060CX1L3 | 电机控制 | |
| 14 | 20A 650V TO-220F | XD020H065CX1H3 | 电机控制 | |
| 15 | 40A 650V TO-247-3L | XD040H065AY1S3 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) | |
| 16 | 40A 650V TO-247-3L | XD040Q065AY1S3 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) | |
| 17 | 50A 650V TO-247-3L | XD050Q065AY1S3 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) | |
| 18 | 60A 650V TO-247-3L | XD060Q065AY1S3 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) | |
| 19 | 75A 650V TO-247-3L | XD075H065CX1S3 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) | |
| 20 | 75A 650V TO-247-3L | XD075Q065AY1S3 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) | |
| 21 | 75A 650V TO-247-3L | XD075Q065AY2S3 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) | |
| 22 | 75A 650V TO-247-3L | XD075Q065AY3S3 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) | |
| 23 | 80A 650V TO-247-3L | XD080H065AY1S3 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) | |
| IGBT+SBD | 24 | 75A 650V TO-247-3L | XD075C065CX1S3 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) |
选择
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。
测量
静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大; 表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子, 显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个单元没有明显的故障. 动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档,用黑表笔接4端子,红表笔接5端子,此时黑表笔接3端子红表笔接1端子, 此时电阻应为300-400欧,把表笔对调也有大约300-400欧的电阻表明此IGBT单元是完好的. 用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的。 将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极(D)，红表笔接IGBT 的源极(S)，此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值 较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G)，这时IGBT 被阻 断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。 注意：若进第二次测量时，应短接一下源极(S)和栅极(G)。 任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏
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