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CMPA2560025F-AMP HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)2022-06-28 10:48
产品型号：CMPA2560025F-AMP 小信号增益：24 dB 典型 PSAT：25 W 工作电压高达： 28 V 耐压性：高击穿电压 耐高温：高温操作 -
CMPA2560025F HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)2022-06-28 10:46
产品型号：CMPA2560025F 小信号增益：24 dB 典型 PSAT：25 W 工作电压高达： 28 V 耐压性：高击穿电压 耐高温：高温操作 -
CMPA2560025D HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)2022-06-28 10:41
产品型号：CMPA2560025D 小信号增益：24 dB 典型 PSAT：25 W 工作电压高达： 28 V 耐压性：高击穿电压 耐高温：高温操作 -
CMPA2060035F1-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-28 09:46
产品型号：CMPA2060035F1-AMP 小信号增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作电压：高达 32 V 耐压性：高击穿电压 耐高温：高温操作 -
CMPA2060035F-AMP1 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-28 09:44
产品型号：CMPA2060035F-AMP1 小信号增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作电压高达： 32 V 耐压性：高击穿电压 耐高温：高温操作 -
CMPA2060035F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-28 09:42
产品型号：CMPA2060035F-AMP 小信号增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作电压高达： 32 V 耐压性：高击穿电压 耐高温：高温操作 -
CMPA2060035F1 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-28 09:40
产品型号：CMPA2060035F1 小信号增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作电压： 高达32 V 耐压性：高击穿电压 耐高温：高温操作 -
CMPA2060035F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-28 09:38
产品型号：CMPA2060035F 小信号增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作电压高达： 32 V 耐压性：高击穿电压 耐高温：高温操作 -
CMPA2060035D 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-28 09:32
产品型号：CMPA2060035D 小信号增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作电压高达：32 V 耐压性：高击穿电压 耐高温：高温操作 -
D1209UK功率晶体管TT Electronics2022-06-27 21:55
产品型号：D1209UK 工作电压：20V 功率输出： 5W 测试频率：1GHz 应用范围：1-1000MHz 有源FET配置：3