超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列DL0522P
DL0522P是一种超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，设计用于在连接到高速数据线时保护敏感半导体元件免受电应力过大的影响。DL0522P 的超低电容（0.35pF典型I/O到I/O）确保了在tc 3.5GHz以上的数据速率下可以忽略信号衰减。固态结构确保快速夹紧ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）或CDE（电缆放电事件）产生的电过应力瞬变。
■除了超低电容外，DL0522P还提供的浪涌电流能力和的电压箝位性能。浪涌电流能力（8x20μs）的额定值为5A,箝位电压低于15V；大约比行业标准高33%。此外，1.9的紧箝位比（VCVRWM）（通常为1A）确保了有害瞬态被快速箝位，并接近电路的正常工作电压。超紧夹紧比比行业标准高30%，确保了对敏感集成电路的保护。
DL0522P设计用于保护多达两条数据线。它封装在符合RoHS/WEEE标准的6引脚DFN中，具有0.55mm（标称）的极低封装外形。超低电容、高浪涌能力、紧箝位比和低封装外形的组合使DL0522P成为当今ESD敏感、空间受限应用的理想选择。
●特征
ESD保护符合以下要求：
IEC 61000-4-2，±18kV触点，±30kV空气
IEC 61000-4-5（闪电）5A（8/20μs）
IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）
紧密的夹紧比V-C/V-RWM确保了的保护
高反向浪涌电流，lPP，容量
低怠速电流将待机功耗降至低
低调的DFN1610-6封装
为高速线路优化的封装设计
贯穿设计
保护两条l/O线
低电容：0.35pF典型值（I/O至I/O）
低工作电压：5V
固态硅雪崩技术
应用参考：
| D5V0F2U6LP-7 | |
产品类型: | TVS Diodes ESD 抑制器TVS二极管 2-Ch Low Cap TVS Diode Array 0.5pF |
极性: | Unidirectional |
工作电压: | 5.5 V |
通道数量: | 2 Channel |
端接类型: | SMD/SMT |
产品封装: | U-DFN1610-6 |
击穿电压: | 6 V |
钳位电压: | 12 V |
峰值脉冲功耗 (Pppm): | - |
Vesd - 静电放电电压触点: | 15 kV |
Vesd - 静电放电电压气隙: | 15 kV |
Cd - 二极管电容 : | 0.65 pF |
Ipp - 峰值脉冲电流: | 1.5 A |
工作温度范围: | - 55 C-+ 150 C |
封装: | Reel |
封装: | Cut Tape |
商标: | Diodes Incorporated |
Pd-功率耗散: | 300 mW |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes |
