RClamp0522P 是一种超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，设计用于在连接到高速数据线时保护敏感半导体元件免受电应力过大的影响。RClamp0522P 的超低电容（0.35pF典型I/O到I/O）确保了在tc 3.5GHz以上的数据速率下可以忽略信号衰减。固态结构确保快速夹紧ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）或CDE（电缆放电事件）产生的电过应力瞬变。
■除了超低电容外，RClamp0522P 还提供卓越的浪涌电流能力和出色的电压箝位性能。浪涌电流能力（8x20μs）的额定值为7A；大约比行业标准高33%。此外，1.9的紧箝位比（VCVRWM）（通常为1A）确保了有害瞬态被快速箝位，并接近电路的正常工作电压。超紧夹紧比比行业标准高30%，确保了对敏感集成电路的卓越保护。
RClamp0522P 设计用于保护多达两条数据线。它封装在符合RoHS/WEEE标准的6引脚DFN中，具有0.55mm（标称）的极低封装外形。超低电容、高浪涌能力、紧箝位比和低封装外形的组合使RClamp0522P 成为当今ESD敏感、空间受限应用的理想选择。
●特征
■ESD保护符合以下要求：
▲IEC 61000-4-2，±18kV触点，±30kV空气
▲IEC 61000-4-5（闪电）7A（8/20μs）
▲IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）
■紧密的夹紧比V-C/V-RWM确保了卓越的保护
■高反向浪涌电流，lPP，容量
■低怠速电流将待机功耗降至低
■低调的DFN封装
■为高速线路优化的封装设计
■贯穿设计
■保护两条l/O线
■低电容：0.35pF典型值（I/O至I/O）
■低工作电压：5V
■固态硅雪崩技术
