--- 产品参数 ---
- 可选器件 P0640SA SMCJ58A 0461002.ER
--- 产品详情 ---
千兆位以太网(GbE)用3.3V大功率低电容集成阵列TVS DL3304P9
DL3304P9 平替3374N
TVS 二极管专为保护连接到高速数据与传输线的敏感元件所设计,以避免静电放电 (ESD)、缆线放电事件 (CDE),以及电气快速瞬时 (EFT) 造成的过电压损害。 独特的设计纳入突波等级、低电容量控向二极管,以及 TVS 二极管在单一封装中。DL3304P9 在设计上可取代多达两个元件,提供板级 GbE 保护。 每个元件设计为保护两个线路。 这是透过在装置中的布线达成。 以此方式连接时,元件可耐受高等级的突波电流(40 A、8/20 uS,且箝位电压VC低至25V),同时保持低于 5 pf 的低负载电容量。 由于具备此高突波承受能力,因此可用于高威胁环境中的应用,例如 Gigabit 乙太网络、通讯线路,以及 LVDS 界面。 EPD 流程比起硅晶突崩式二极管制程,提供更低的隔绝电压,并且大幅降低漏电流和电容量。 此元件具有 3.3 V 的真正工作电压,能提供优异的保护。DL3304P9 采用 10 引脚 SLP3020N10 封装,尺寸仅 3.0 mm x 2.0 mm x 0.60 mm。 引线采用无铅处理。
产品特点:
多种突波等级二极管,含内部 TVS 二极管
高速数据线路瞬变防护,标准达到
o IEC 61000-4-2 (ESD) ±30 kV(空气)、±30 kV(接触)
o IEC 61000-4-4 (EFT) 40 A (5/50 ns)
o IEC 61000-4-5(雷击)40 A (8/20 uS)
保护多达八个线路
低电容量,适用于高速 CANbus
电容量和偏压电压之间具有低变化
低箝位电压低于25V 在IPP40A(8/20 uS)时
低工作电压:3.3 V
固态硅突雪崩技术
应用
10/100/1000M乙太网络
汽车电子
中央机房设备
LVDS 界面
MagJack/整合式磁性元件
笔记型计算机/桌上型计算机/服务器
以太网上的雷击防护芯片DL3304P9
描述:TVS DIODE 3.3VWM 25VC 10SLP
双向通道:8
DL3304P9
电压 - 反向关态(典型值):3.3V(
电压 - 击穿(最小值):3.5V (2uA)
VSB电压:2.8V (50mA)
电压 - 箝位(值)@ Ipp40A:VC小于25V
电流 - 峰值脉冲 :40A(8/20μs)
功率 - 峰值脉冲:1000W (1kW)
不同频率时的电容:5.0pF @ 1MHz
工作温度:-55°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:10-UDFN 焊盘
供应商器件封装:SLP3020N10




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