低和高频率操作

  上面所讨论的应用程序图覆盖大多数应用。不过,也有用于低频信号的情况下(<1MHz的)。,这是经常在声纳应用程序的情况下,其范围可以从10kHz 至200kHz。此外,在高频率(> 20MHz的)有时是必需的, 往往在无损检测应用,以改善轴向分辨率或PWM调制信号的传输。下面的部分说明了这两种类型的应用 。

  低频(<1MHz的)

  MAX4940可以工作在频率高于1MHz的低。这是足以取代电容器,具有更大的价值信号电容(3.3nF在上面的例子)。作为一个经验法则,可以考虑下列公式计算:

  彗星信号 = 3.3nF/freq(兆赫)

  例如,为100kHz的应用程序,建议值是33nF 。Contrastingly,MAX4968是基于一个 bootstrap 架构。它不能运行在频率低于100kHz。

  高频(> 20MHz的)

  MAX4940的驱动电路可以工作在高频率(产生短脉冲),如40MHz的。然而,实际的限制,通常是由于驱动电流能力有限 。,负载在一阶近似,可以考虑纯容性 ( LOAD )。最大压摆率,就可以实现相关的峰值电流,脉冲发生器可以提供( PEAK) 。公式中,

  SLEW_RATE =(ΔV/ΔT)MAX = / TOT

  其中C TOT是总负载电容,包括传感器的电容,电缆电容,和IC寄生电容。 现在,假设你正在积极单极模式(图6),并试图发送一个200V单极爆裂 。如果,例如C TOT = 400pF的,然后摆率是有限的:

  (ΔV/ΔT)最大值= 峰值 / TOT = 2A/300pF = 6.66V/ns

  ,因此,上升和下降时间大约由:

  T  = T  ≈200V /(6.66V/ns)=为30ns

  因此200V幅度最小脉冲宽度约60ns的 过程中,类似的考虑可以为双极性和单极性负应用 。如上所述,您可以增加电流能力(我山顶,把更多的渠道并行 )。(注意:IC寄生电容也会相应增加) 。因此,它可以提高工作频率。举例来说,如图14所示的4A的脉冲发生器,你可以在理论上(忽略了IC的寄生电容) T崛起= T = 15ns的下降为200V的 输出摆幅。

  = 4A,TOT = 300pF时能够摆动= 200V

  

 

  的最小脉冲宽度=为 30ns

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