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诺芯盛科技

诺芯盛科技提供无线充发射+接收方案设计、芯片、PCBA电路板,超级法拉电容,国产MOS管

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动态

  • 发布了文章 2025-06-18 10:34

    无线充电电路板

    本文介绍了无线充电电路板的三种工作方式:磁场共振式、电磁感应式和特殊配方磁屏蔽层。其内部由复合材料打造的精密艺术品,具备防火防潮的生存技能和90%的杂散磁场圈定在传输通道内。此外,还设有过压保护模块、温度传感器和异物检测系统,进行全方...
  • 发布了文章 2025-06-18 10:04

    小米无线充电宝标准版重量

    小米无线充电宝标准版重量为303.5g,采用高密度锂聚合物电池和铝合金一体化外壳,重量适中,既保证了电池容量,又兼顾了轻量化需求。通过无线线圈布局优化和双层缠绕技术和磁芯材料改进,无线充电模块效率提升至70%,保证了稳定输出。
  • 发布了文章 2025-06-17 10:26

    怎么测试法拉电容的好坏?

    法拉电容在现代电子世界中扮演着关键角色,尤其在电动汽车、储能设备等领域的应用广泛。然而,法拉电容并非万能,如出现性能衰退、短路等问题,需精准判断其好坏。外观上,法拉电容外壳应平滑无痕,引脚应无异常;电阻上,电阻逐渐增稳,电容充电饱满;...
  • 发布了文章 2025-06-17 10:15

    mos管并联后共用驱动电阻

    多管并联的电力电子系统设计中,驱动电阻配置对系统运行效率和可靠性至关重要。驱动电阻的大小决定了开关速度、功率损耗和电磁干扰等核心性能的平衡关系。采用单一驱动电阻方案具有集约化优势,但同时需考虑共用驱动电阻带来的寄生参数叠加效应。
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  • 发布了文章 2025-06-17 09:43

    华为无线充电台灯怎么使用的?

    华为无线充电台灯以“一灯双用”的创新设计,融合无线充电技术、智能触控操作与人性化设计,成为科技与美学结合的典范。具备多种照明模式和延时关灯功能,且可以根据需求自动调整明暗与色调。
  • 发布了文章 2025-06-16 10:14

    法拉电容内阻怎么测大小?

    本文主要介绍了内阻的本质与核心价值,内阻的测量方法、影响因素及应用。同时,还介绍了内阻的参数解读和误区防范。文章最后展望了前沿检测技术的发展趋势,强调了掌握科学的内阻测量方法的重要性。
  • 发布了文章 2025-06-16 10:03

    常用的mos管驱动方式

    本文主要探讨了MOS管驱动电路的几种常见方案,包括电源IC直接驱动、推挽电路协同加速、隔离型驱动等。电源IC直接驱动的简约哲学适合小容量MOS管,但需要关注电源芯片的最大驱动峰值电流和MOS管的寄生电容值。
    883浏览量
  • 发布了文章 2025-06-16 09:27

    华为手机加装无线充电模块

    无线充电技术逐渐成为智能手机体验的重要指标,华为手机用户可考虑为现有设备加装无线充电模块,但需严格匹配Qi标准。加装可行,但可能影响系统和电池安全。若加装第三方模块,可能导致效率降低和安全风险。建议优先考虑原生支持无线充电功能的华为手机。
    1.7k浏览量
  • 发布了文章 2025-06-15 14:47

    推挽电路驱动多个mos

    推挽电路是解决驱动多个MOS管挑战的关键技术。通过互补驱动,推挽电路可快速充电和放电,提高开关速度。在5V逻辑信号驱动15V MOS管的场景中,推挽电路可无缝转换,同时提供足够的驱动能力。
    2k浏览量
  • 发布了文章 2025-06-15 14:33

    法拉电容怎么测内阻值?

    法拉电容内阻值是新能源车、储能系统或应急电源设计中的关键参数,测量方法包括交流阻抗法和直流放电法。交流阻抗法适用于高频应用,直流放电法则更贴近实际工作条件,但需要频谱分析仪,成本较高。选择时应根据精度、设备成本和速度综合考虑。

企业信息

认证信息: 诺芯盛科技

联系人:林龙

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地址:深圳市龙华区大浪街道华辉路同胜科技大厦A座1007

公司介绍:诺芯盛科技是一家专业致力于消费类电子,无线充电产品IC芯片研发及电路模块应用设计的技术型方案公司。公司成立于2022年,通过多年以来的发展,公司已在无线充电领域-涵括发射端+接收端应用,公司拥有国内尖端产品线芯片资源,汇集和培养了一批经验丰富,设计能力超强的工程技术人员,公司先后成立了DC电源事业部,功率器件事业部,可提供无线充电(发射+接收)方案设计和PCBA模组及DC-DC升降压芯片、电池充电管理IC、MOS管、IGBT、MOS驱动芯片、超级/法拉电容器、LED去纹波/频闪ic。  【公司产品渠道】:INJOINIC英集芯(无线充TX、充电IC),NuVolta伏达(无线充RX),COPO酷珀微(无线充RX),Vergiga威兆(MOS/IGBT),WINSOK微硕(MOS),FM富满(充电管理ic),金誉/迪浦(二三极管、充电管理ic),Si-Power硅动力(DC-DC降压芯片),Zk中科(MOS/IGBT驱动芯片 N531、N532),MAXIC美芯晟(去频闪ic),JGNE山东精工(超级/法拉电容)。

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