立年电子科技

动态

• 发布了产品 2022-05-23 18:20

  C3M0065100K碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0065100K 漏源电压：1000V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

  599浏览量

• 发布了产品 2022-05-23 14:45

  CG2H40035F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CG2H40035F-AMP 频率：高达 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率为 64%

  192浏览量

• 发布了产品 2022-05-23 14:42

  CG2H40035F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CG2H40035F 频率：高达 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率为 64%

  210浏览量

• 发布了产品 2022-05-23 14:36

  CG2H40035P高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CG2H40035P 频率：高达 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率为 64%

  248浏览量

• 发布了产品 2022-05-22 22:19

  C3M0065100J碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0065100J 漏源电压：1000V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

  401浏览量

• 发布了产品 2022-05-22 21:45

  C3M0280090J碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0280090J 漏源电压：900V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

  283浏览量

• 发布了产品 2022-05-22 21:36

  C3M0120090D碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0120090D 漏源电压：900V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

  459浏览量

• 发布了产品 2022-05-22 21:24

  C3M0120090J碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0120090J 漏源电压：900V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

  252浏览量

• 发布了产品 2022-05-22 10:54

  E3M0120090J碳化硅MOSFET

  

  产品型号：E3M0120090J 漏源电压:：900V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

  315浏览量

• 发布了产品 2022-05-22 10:42

  C3M0065090J碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0065090J 漏源电压：900V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

  625浏览量