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• 发布了产品 2022-06-28 16:47

  CMPA801B030F1 HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)

  

  产品型号：CMPA801B030F1 典型 PSAT：40 W 工作电压：高达 28 V 击穿电压：高击穿电压

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• 发布了产品 2022-06-28 16:45

  CMPA801B030F HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)

  

  产品型号：CMPA801B030F 典型 PSAT：40 W 工作电压：高达 28 V 击穿电压：高击穿电压

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• 发布了产品 2022-06-28 10:48

  CMPA2560025F-AMP HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)

  

  产品型号：CMPA2560025F-AMP 小信号增益：24 dB 典型 PSAT：25 W 工作电压高达： 28 V

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• 发布了产品 2022-06-28 10:46

  CMPA2560025F HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)

  

  产品型号：CMPA2560025F 小信号增益：24 dB 典型 PSAT：25 W 工作电压高达： 28 V

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• 发布了产品 2022-06-28 10:41

  CMPA2560025D HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)

  

  产品型号：CMPA2560025D 小信号增益：24 dB 典型 PSAT：25 W 工作电压高达： 28 V

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• 发布了产品 2022-06-28 09:46

  CMPA2060035F1-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CMPA2060035F1-AMP 小信号增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作电压：高达 32 V

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• 发布了产品 2022-06-28 09:44

  CMPA2060035F-AMP1 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CMPA2060035F-AMP1 小信号增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作电压高达： 32 V

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• 发布了产品 2022-06-28 09:42

  CMPA2060035F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CMPA2060035F-AMP 小信号增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作电压高达： 32 V

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• 发布了产品 2022-06-28 09:40

  CMPA2060035F1 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CMPA2060035F1 小信号增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作电压： 高达32 V

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• 发布了产品 2022-06-28 09:38

  CMPA2060035F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CMPA2060035F 小信号增益：28 dB 典型 PSAT：35 W 工作电压高达： 32 V

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